[发明专利]设计支持系统、可读介质、半导体器件设计和制造方法

权利要求书

1.一种设计支持系统，包括：

栅极膜信息获取部件，所述栅极膜信息获取部件获取栅极绝缘膜的膜厚度；和

最大容许天线比率设置部件，所述最大容许天线比率设置部件为位于所述栅极绝缘膜上的栅电极设置最大容许天线比率并且根据通过所述栅极膜信息获取部件获取的所述膜厚度而使得所述最大容许天线比率不同。

2.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

当所述膜厚度在第一范围中时，所述最大容许天线比率设置部件将所述最大容许天线比率设置到比当所述膜厚度在第二范围和第三范围之一中时设置的所述最大容许天线比率的值更低的值，在所述第二范围中的所述膜厚度比在所述第一范围中的所述膜厚度更薄，在所述第三范围中的所述膜厚度比在所述第一范围中的所述薄膜厚度更厚。

3.根据权利要求2所述的设计支持系统，其中：

所述第一范围包括下述膜厚度，在所述膜厚度处隧穿电流开始在所述栅极绝缘膜中流动。

4.根据权利要求3所述的设计支持系统，其中：

所述膜厚度为2.6nm，在所述膜厚度处隧穿电流开始在所述栅极绝缘膜中流动。

5.根据权利要求1所述的设计支持系统，进一步包括：

设计天线比率计算部件，所述设计天线比率计算部件基于有关将被连接到所述栅电极的布线的设计数据来计算设计天线比率；和

确定部件，所述确定部件确定所述设计天线比率是等于还是低于所述最大容许天线比率。

6.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

所述最大容许天线比率设置部件基于下述表来设置所述最大容许天线比率，在所述表中所述膜厚度和所述最大容许天线比率彼此关联。

7.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

所述最大容许天线比率设置部件基于下述函数来设置最大容许天线比率，所述函数包括表示所述膜厚度的独立变量和表示所述最大容许天线比率的因变量。

8.根据权利要求7所述的设计支持系统，其中：

所述函数是具有由其底部表示的极值的大致U形或者V形，或者是具有水平底部的大致U形。

9.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

所述膜厚度是所述栅极绝缘膜的物理厚度。

10.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

所述膜厚度是等效氧化物厚度。

11.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

所述栅极膜信息获取部件获取表示由所述栅极绝缘膜形成的晶体管是P沟道类型还是N沟道类型的导电类型信息；并且

所述最大容许天线比率设置部件根据所述导电类型信息来使得所述最大容许天线比率不同。

12.根据权利要求1所述的设计支持系统，其中：

所述栅极膜信息获取部件获取表示所述栅极绝缘膜的材料的材料信息；并且

所述最大容许天线比率设置部件根据所述材料信息来使得所述最大容许天线比率不同。

13.一种存储在计算机中执行的程序的计算机可读介质，所述程序包括：

获取栅极绝缘膜的膜厚度；和

为位于所述栅极绝缘膜上的栅电极设置最大容许天线比率并且根据通过所述栅极绝缘膜的第一函数读取的所述膜厚度来改变所述最大容许天线比率。

14.一种设计半导体器件的方法，包括：

产生关于将被连接到栅电极的布线的设计数据；

使得计算机为所述栅电极设置最大容许天线比率；

使得所述计算机使用所述设计数据计算所述栅电极的天线比率；和

使得所述计算机确定计算的天线比率是等于还是小于所述最大容许天线比率并且输出确定的结果；

其中，在设置所述最大容许天线比率的步骤中，所述计算机根据在所述栅电极下面的栅极绝缘膜的膜厚度来使得所述最大容许天线比率不同。

15.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过根据权利要求14的设计方法，设计包括栅极绝缘膜、栅电极和上层布线的半导体器件；和

根据在设计的步骤中设计的设计来制造所述半导体器件。