[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910007920.5 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101521230A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光;北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
第一导电类型下阱区，设置在所述半导体衬底上；
第二导电类型下源区和第二导电类型下漏区，分别设置在所述第 一导电类型下阱区的一部分中；
半导体外延层，设置在所述第一导电类型下阱区的衬底表面、所 述第二导电类型下源区的衬底表面和所述第二导电类型下漏区的衬 底表面上；
上阱区，设置在所述半导体外延层上；
用于形成不平整结构的、其深度比所述下源区和所述下漏区的深 度更深的沟槽；
设置在所述不平整结构的整个表面上的绝缘膜，以及借助所述绝 缘膜设置的栅电极；和
设置在所述栅电极的两侧上的上源区和上漏区，其中所述上源区 和所述上漏区与所述第二导电类型下源区和所述第二导电类型下漏 区接触。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述栅电极相邻 的所述第二导电类型上漏区和所述第二导电类型下漏区的区域设置 成具有低杂质浓度。
3.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上形成第一导电类型下阱区；
在所述第一导电类型下阱区的一部分中形成第二导电类型下源 区和第二导电类型下漏区；
在所述第一导电类型下阱区的衬底表面、所述第二导电类型下源 区的衬底表面和所述第二导电类型下漏区的衬底表面上形成半导体 外延层；
在所述半导体外延层上形成上阱区；
通过蚀刻形成用于形成不平整结构的、其深度比所述下源区和所 述下漏区的深度更深的沟槽；
在所述不平整结构的整个表面上形成绝缘膜，并且借助所述绝缘 膜形成栅电极；以及
在所形成的栅电极的两侧上进行离子注入，并且形成上源区和上 漏区，以便使之与所述第二导电类型下源区和所述第二导电类型下漏 区接触。
4.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上形成第一导电类型下阱区；
在所述第一导电类型下阱区的一部分中形成第二导电类型低浓 度下区；
在所述低浓度下区的一部分中形成第二导电类型下源区和第二 导电类型下漏区，所述第二导电类型下源区和所述第二导电类型下漏 区具有比所述低浓度下区更高的杂质浓度；
在所述第一导电类型下阱区的衬底表面、所述第二导电类型下源 区的衬底表面和所述第二导电类型下漏区的衬底表面上形成半导体 外延层；
在所述半导体外延层上形成上阱区；
通过蚀刻形成用于形成不平整结构的、其深度比所述下源区和所 述下漏区的深度更深的沟槽；
在所述不平整结构的整个表面上形成绝缘膜，并且借助所述绝缘 膜形成栅电极；
在所述栅电极的两侧上进行离子注入，并且形成第二导电类型低 浓度上区，以便与所述低浓度下区接触；以及
在所述栅电极的源侧上以及在所述栅电极的漏侧的一部分上形 成第二导电类型上源区和第二导电类型上漏区，以便分别与所述下源 区以及与所述下漏区接触，所述第二导电类型上源区和所述第二导电 类型上漏区具有比所述第二导电类型低浓度上区更高的杂质浓度。
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