[发明专利]半导体芯片的制造方法无效
| 申请号： | 200910008028.9 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101515565A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 长泽唯人 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 坚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
1.一种半导体芯片的制造方法，其是将半导体晶片分割成一个个半导体芯片的方法，上述半导体晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且上述半导体晶片具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，上述器件区域是在通过上述多条间隔道划分出的多个区域中分别形成有器件的区域，其特征在于，
上述半导体芯片的制造方法包括以下工序：
变质层形成工序，从上述半导体晶片的背面侧将聚光点对准上述半导体晶片内部，沿着上述间隔道照射相对于上述半导体晶片具有透射性的波长的激光束，从而在上述半导体晶片的内部形成沿着上述间隔道的变质层；
金属膜成膜工序，在实施了上述变质层形成工序后，在上述半导体晶片的背面形成金属膜；
半导体晶片粘贴工序，在安装于环状框架的粘贴带上粘贴上述半导体晶片；和
半导体晶片分割工序，在上述半导体晶片粘贴于上述粘贴带的状态下对上述半导体晶片作用外力，从而沿着上述变质层将上述半导体晶片与上述金属膜一起分割成一个个芯片。
2.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，
在上述半导体晶片分割工序中，通过扩展上述粘贴带，来对该粘贴带作用张力，从而分割上述半导体晶片。
3.如权利要求1或2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，
关于上述半导体晶片，在实施上述变质层形成工序之前，预先对上述半导体晶片的与上述器件区域对应的背面进行磨削，从而在上述半导体晶片的与上述外周剩余区域对应的背面形成了环状凸部。
4.如权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，
在上述金属膜成膜工序之后、且在上述半导体晶片分割工序之前，除去上述半导体晶片的上述环状凸部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
