[发明专利]半导体芯片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体芯片的制造方法，半导体晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并在通过多条间隔道划分出的多个区域中分别形成有器件，并且在半导体晶片背面上覆盖有金属膜，上述半导体芯片的制造方法是沿着间隔道将上述半导体晶片分割成一个个半导体芯片(器件)的方法。

背景技术

关于在表面上形成有多个IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)等器件的半导体晶片，在对背面进行磨削而形成为所希望的厚度后，沿着称为间隔道的分割预定线被分割成一个个半导体芯片，并应用于各种电子设备中。

作为将半导体晶片分割成一个个芯片的方法，一般有这样的方法：使用具有厚度大约为20～40μm的切削刃的切削刀具沿间隔道对半导体晶片进行切削的切割方法；以及使用相对于半导体晶片具有透射性的波长的脉冲激光束的方法。

在使用相对于半导体晶片具有透射性的波长的脉冲激光束的方法中，将聚光点对准半导体晶片内部，沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光束，从而在半导体晶片内部连续地形成变质层，通过沿着因形成变质层而导致强度降低的间隔道施加外力，将半导体晶片分割成一个个芯片(例如参照日本特许第3408805号公报)。

另一方面，关于在表面上形成有大功率晶体管等器件的半导体晶片，一般在其背面形成有覆盖几nm(纳米)厚的金、银、钛等金属膜而成的接地层。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

但是，由于金属膜具有粘性，所以当利用切削装置的切削刀具对在背面覆盖有金属膜的半导体晶片进行切削时，在分割出的半导体芯片的背面外周会产生飞边。此外，金属屑会附着在切削刀具上而产生孔眼堵塞，存在切削刀具的寿命下降的问题。

另一方面，在利用相对于半导体晶片具有透射性的波长的脉冲激光束进行切削的方法中，由于激光束不能透过金属膜，所以无法在金属膜内部形成变质层。

在使用激光束加工金属时，有使激光束会聚在金属表面从而使聚光点处的金属熔融的方法、以及使金属气化或等离子化的称为烧蚀的方法，但同时会产生称为熔解物或碎屑的加工屑，不适于厌忌加工屑的半导体芯片的制造。

发明内容

本发明鉴于这样的问题而完成，其目的在于，提供一种高效率且不产生加工屑地将在背面形成有金属膜的半导体晶片分割成一个个芯片的半导体芯片的制造方法。

根据本发明，提供一种半导体芯片的制造方法，其是将半导体晶片分割成一个个半导体芯片的方法，上述半导体晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且上述半导体晶片具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，上述器件区域是在通过上述多条间隔道划分出的多个区域中分别形成有器件的区域，其特征在于，

上述半导体芯片的制造方法包括以下工序：

变质层形成工序，从上述半导体晶片的背面侧将聚光点对准上述半导体晶片内部，沿着上述间隔道照射相对于上述半导体晶片具有透射性的波长的激光束，从而在上述半导体晶片的内部形成沿着上述间隔道的变质层；

金属膜成膜工序，在实施了上述变质层形成工序后，在上述半导体晶片的背面形成金属膜；

半导体晶片粘贴工序，在安装于环状框架的粘贴带上粘贴上述半导体晶片；和

半导体晶片分割工序，在上述半导体晶片粘贴于上述粘贴带的状态下对上述半导体晶片作用外力，从而沿着上述变质层将上述半导体晶片与上述金属膜一起分割成一个个芯片。

优选的是，半导体晶片分割工序通过扩展粘贴带，来对粘贴带作用张力，从而将半导体晶片分割成一个个芯片。

优选的是，关于半导体晶片，在实施变质层形成工序之前，预先对半导体晶片的与器件区域对应的背面进行磨削，从而在半导体晶片的与外周剩余区域对应的背面形成了环状凸部。

根据本发明，在利用脉冲激光束在半导体晶片内部形成了变质层之后，在晶片背面形成作为接地层的金属膜，然后沿着形成有变质层的间隔道将半导体晶片和金属膜一起分割成一个个芯片，因此，对于在背面形成有作为接地层的金属膜的半导体晶片，也能够不产生加工屑且高效率地分割成一个个芯片。

此外，由于不是如使用切削刀具的切割那样来切削除去间隔道的方法，所以能够减小间隔道相对于器件区域所占的面积比，能够提高生产效率。

附图说明

图1是半导体晶片的表面侧立体图。

图2是粘贴有保护带的半导体晶片的背面侧立体图。