[发明专利]多重晶体管元件及其操作与制造方法

权利要求书

1.一种多重晶体管元件，包括：

一基板；

一第一有源区与一第二有源区，设置于该基板内；

一第一多重晶体管元件与一第二多重晶体管元件，设置于该基板内，该 第一与第二多重晶体管元件分别包括：

一浅沟槽隔离结构；

一浮置栅堆叠物，位于邻近该浅沟槽隔离结构的该基板上，该浮 置栅堆叠物包括一第一区、一第二区以及介于该第一区与该第二区间的 一元件缺口，该第一区与该第二区实体地耦接，该浅沟槽隔离结构将该 第一区及该第二区下面的基板隔离；

一控制栅堆叠物，位于该浮置栅堆叠物的上方；

一字线堆叠物，位于邻近该浮置栅堆叠物与该控制栅堆叠物的该基板 上；

一第一漏极，邻近靠近该第一区的该字线堆叠物；

一第二漏极，邻近靠近该第二区的该字线堆叠物；

一第一位线，耦接该第一漏极；以及

一第二位线，耦接该第二漏极，该多重晶体管元件还包括：

一擦除栅堆叠物，设置于该基板上并耦接于该第一与该第二多重晶体管 元件，该字线堆叠物和该擦除栅堆叠物分别位于该第一多重晶体管元件的该 控制栅堆叠物与浮置栅堆叠物的两侧以及分别位于第二多重晶体管元件的 该控制栅堆叠物与浮置栅堆叠物的两侧；以及

一共源极，耦接于该第一与该第二多重晶体管元件，

其中该第一多重晶体管元件耦接于该第一有源区而该第二多重晶体管 元件耦接于该第二有源区；以及

其中该第一与该第二多重晶体管元件于设置后，其内的该元件缺口背对 背设置。

2.如权利要求1所述的多重晶体管元件，其中该第一漏极耦接于该第一 位线，而该第二漏极耦接于该第二位线。

3.如权利要求1所述的多重晶体管元件，其中该浮置栅堆叠物包括择自 由多晶硅、掺杂多晶硅、及多晶硅与掺杂多晶硅的组合所组成的族群的一材 料。

4.如权利要求1所述的多重晶体管元件，其中该第一与第二多重晶体管 元件的该浮置栅堆叠物的该第一与该第二区实体地耦接。

5.如权利要求1所述的多重晶体管元件，其中该第一位线为一读取位线 而该第二位线为一编程位线。

6.一种多重晶体管元件的操作方法，该操作方法包括：

提供如权利要求1的一多重晶体管元件，其中该第一位线为一读取位线 而该第二位线为一编程位线；以及

采用该编程位线编程该多重晶体管元件内的该第一多重晶体管元件与 该第二多重晶体管元件其中之一，其中于编程时该读取位线未被启始。

7.如权利要求6所述的多重晶体管元件的操作方法，还包括：

采用该读取位线进行读取，其中于读取时该编程位线未被启始。