[发明专利]氧化铝纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910009312.8 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101481126A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 程国安;徐杰 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C01F7/02 | 分类号： | C01F7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化铝 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种氧化铝纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括：
预处理实验样品；
将预处理后的实验样品制备成多孔氧化铝模板；
多孔氧化铝模板作为前驱物，生成氧化铝纳米线阵列。
2、根据权利要求1所述的氧化铝纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述预处理过程包括超声波清洗、退火处理、化学抛光。
3、根据权利要求1所述的氧化铝纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述制备多孔氧化铝模板的方法为两步阳极氧化法。
4、根据权利要求2或3所述的氧化铝纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述多孔氧化铝模板在一定的腐蚀条件下经化学腐蚀生成氧化铝纳米线。
5、根据权利要求4所述的氧化铝纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述腐蚀条件为在45℃的水浴槽里、8％磷酸溶液中化学腐蚀14至18分钟。
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