[发明专利]半导体装置以及修改集成电路的方法有效
申请号: | 200910009455.9 | 申请日: | 2009-02-25 |
公开(公告)号: | CN101740537A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 冉景涵;林育信 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/60;H01L21/60 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 修改 集成电路 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于包含:
集成电路,包含:第一焊盘;第二焊盘;第一电流引导电路,耦接于所 述第一焊盘与第一参考电压,用于选择性地将接收自所述第一焊盘的第一特 定电信号引导至所述第一参考电压;以及第二电流引导电路,耦接于所述第 二焊盘与第二参考电压,用于选择性地将接收自所述第二焊盘的第二特定电 信号引导至所述第二参考电压;以及
连接元件,于所述集成电路之外,用于耦接所述第一焊盘与所述第二焊 盘,
其中,所述连接元件为电感性的内部接合线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一电流引导 电路为静电放电保护电路。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述第一焊盘为电 源/接地焊盘。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述第一焊盘为输 入/输出焊盘。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述第二电流引导 电路为静电放电保护电路。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一焊盘以及 第二焊盘均为电源/接地焊盘。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一焊盘以及 第二焊盘均为输入/输出焊盘。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述内部接合线直 接连接于所述第一焊盘与所述第二焊盘之间。
9.一种修改集成电路的方法,其特征在于,所述集成电路包含:第一焊 盘;第二焊盘;第一电流引导电路,耦接于所述第一焊盘与第一参考电压, 用于选择性地将接收自所述第一焊盘的第一特定电信号引导至所述第一参考 电压;以及第二电流引导电路,耦接于所述第二焊盘与第二参考电压,用于 选择性地将接收自所述第二焊盘的第二特定电信号引导至所述第二参考电 压;所述方法包含:
提供连接元件;以及
使用所述连接元件将所述第一焊盘与所述第二焊盘耦接,其中所述连接 元件在所述集成电路之外,且所述连接元件为电感性的内部接合线。
10.根据权利要求9所述的修改集成电路的方法,其特征在于,使用所述 连接元件耦接所述第一焊盘与所述第二焊盘的步骤包含:
对所述第一电流引导电路及所述第二电流引导电路实施验证过程;以及
当所述第一电流引导电路通过所述验证而所述第二电流引导电路未通过 时,使用所述连接元件将所述第一焊盘连接至所述第二焊盘。
11.根据权利要求10所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述第 一电流引导电路为静电放电保护电路。
12.根据权利要求11所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述第 一焊盘为电源/接地焊盘。
13.根据权利要求11所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述第 一焊盘为输入/输出焊盘。
14.根据权利要求11所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述第 二电流引导电路为静电放电保护电路。
15.根据权利要求14所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述第 一焊盘以及所述第二焊盘均为电源/接地焊盘。
16.根据权利要求14所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述第 一焊盘以及所述第二焊盘均为输入/输出焊盘。
17.根据权利要求9所述的修改集成电路的方法,其特征在于,所述内部 接合线直接连接于所述第一焊盘与所述第二焊盘之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910009455.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种猪角膜切口标记器
- 下一篇:等离子体处理装置