[发明专利]半导体装置以及修改集成电路的方法有效

专利信息
申请号: 200910009455.9 申请日: 2009-02-25
公开(公告)号: CN101740537A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 冉景涵;林育信 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/60;H01L21/60
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 葛强;张一军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 修改 集成电路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体装置,尤其涉及半导体装置以及修改集成电路的 方法,所述半导体装置中包含有集成电路,所包含的集成电路具有由外部连 接元件相耦接的焊盘。

背景技术

通常的,如图1所示,半导体裸晶(semiconductor die)的主表面包含有 多个接合焊盘(bonding pad),而接合焊盘位于半导体裸晶主表面边缘的周 围。图1为现有的半导体裸晶的主表面示意图。多条接合线(bonding wire) 110分别与多个接合焊盘120相接合,以使外部信号(如电源、接地源、输 入信号、输出信号等)电气耦接至半导体裸晶。对于每一耦接于电源/接地源 的接合焊盘120(即电源/接地焊盘)而言,在其之下总设有静电放电 (Electrostatic Discharging,简称ESD)保护电路以保护半导体裸晶不受静 电信号的损害。尽管如此,半导体裸晶的制造过程并无法保证每一ESD保护 电路都能如人们所愿的顺利运作。换言之,某些ESD保护电路也许无法做到 足够迅速的反应以释放相应焊盘上的感应(induced)静电信号。若发生此情 况,对于半导体芯片设计者而言大致具有两种选项。一是重新设计半导体芯 片的ESD保护电路,二是忽视掉ESD保护电路。第一种做法会延长半导体 芯片的制造时间并且大幅增加半导体芯片的成本。而第二种做法则有可能缩 短半导体芯片的寿命,而更严重的是可能影响半导体芯片的正常运作。

发明内容

为了保护半导体芯片不受静电信号的损害,同时节约成本,本发明目的 之一是提供一种半导体装置及修改集成电路的方法。

依据本发明的一个实施例提供一种半导体装置,其特征在于包含:集成 电路,包含:第一焊盘;第二焊盘;第一电流引导电路,耦接于所述第一焊 盘与第一参考电压,用于选择性地将接收自所述第一焊盘的第一特定电信号 引导至所述第一参考电压;以及第二电流引导电路,耦接于所述第二焊盘与 第二参考电压,用于选择性地将接收自所述第二焊盘的第二特定电信号引导 至所述第二参考电压;以及连接元件,于所述集成电路之外,用于耦接所述 第一焊盘与所述第二焊盘。

依据本发明的另一个实施例提供一种修改集成电路的方法,其特征在于, 所述集成电路包含:第一焊盘;第二焊盘;第一电流引导电路,耦接于所述 第一焊盘与第一参考电压,用于选择性地将接收自所述第一焊盘的第一特定 电信号引导至所述第一参考电压;以及第二电流引导电路,耦接于所述第二 焊盘与第二参考电压,用于选择性地将接收自所述第二焊盘的第二特定电信 号引导至所述第二参考电压;所述方法包含:提供连接元件;以及使用所述 连接元件将所述第一焊盘与所述第二焊盘耦接,其中所述连接元件在所述集 成电路之外。

藉此,无需重新设计半导体芯片的ESD保护电路即可避免存在缺陷的 ESD保护电路的不利影响。

附图说明

图1为现有的半导体裸晶的主表面示意图。

图2为根据本发明的一个实施例的半导体装置的俯视示意图。

图3为图2中所示的半导体装置的简要电路示意图。

图4为说明图3中第一特定电信号与第二特定电信号的时序图。

图5为待测试的集成电路的俯视示意图。

图6为根据本发明的一个实施例修改图5中集成电路的方法的流程图。

具体实施方式

在权利要求书及说明书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领 域中的普通技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一 个元件。本发明的权利要求书及说明书并不以名称的差异来作为区分元件的 方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续 的请求项当中所提及的“包含”为一开放式的用语,故应解释成“包含但不限定 于”。以外,“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此,若 文中描述一第一装置耦接于一第二装置,则代表该第一装置可直接电气连接 于该第二装置,或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。

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