[发明专利]加热装置、定影装置和成像装置有效

专利信息
申请号: 200910009753.8 申请日: 2009-02-02
公开(公告)号: CN101587320A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 马场基文 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: G03G15/20 分类号: G03G15/20;H05B6/14;G03G15/01
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 党晓林
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 加热 装置 定影 成像
【说明书】:

技术领域

本发明涉及加热装置、定影装置和成像装置。

背景技术

传统上,存在电磁感应发热式定影装置,其使用通过通电而产生磁 场的线圈和通过磁场的电磁感应产生的涡电流而发热的发热体作为热 源。

作为使用电磁感应发热方法的定影装置的第一实施例,存在如下构 造的装置:在定影辊与发热辊之间悬挂一带,该发热辊由具有预定居里 温度的温敏磁性材料构成,并通过在励磁线圈处产生的磁场的电磁感应 而发热;并且在发热辊内布置有可旋转且可动的导电构件(例如参照日 本专利No.3527442)。

在日本专利No.3527442的定影装置中,在发热辊的温度上升时,导 电构件运动至不与励磁线圈面对的位置。当温度已经上升至预定温度时, 导电构件运动至与励磁线圈相对的位置。这样防止了发热辊的温度升高, 特别是没有片材经过的发热辊部分的温度升高。

另外,作为使用电磁感应发热方法的定影装置的第二实施例,存在 这样的装置,其具有:布置在压辊内的感应加热线圈;具有预定居里温 度特性的温敏磁性管,其用作发热的定影辊;以及以非接触状态布置在 温敏磁性管内的非磁性材料(例如参见日本专利申请特开(JP-A) No.2000-030850)。

在JP-A No.2000-030850的定影装置中,如果温敏磁性管的温度低于 居里温度,那么感应电流流向温敏磁性管并且发热。如果温敏磁性管的 温度高于居里温度,那么温敏磁性管变为非磁性体,磁通穿过温敏磁性 管,感应电流流向非磁性材料,并且温度停止上升。

此外,作为使用电磁感应发热方法的定影装置的第三实施例,存在 这样的装置,其中定影带具有导电层和导磁层(例如参见JP-A No.11-288190)。

在JP-A No.11-288190的定影装置中,在温度上升时,发热层通过电 磁感应而发热。然后,当定影带达到设定定影温度或设定温度以上时, 磁通穿过导磁层,磁场减弱,抑制了发热层的过度发热。

在以上三个文献的定影装置中,通过电磁感应发热的发热层和用于 防止温度升高的温敏磁性层为一体。因此,在定影构件的温度升高时, 发热层的热传递到温敏磁性层,所以温度难以升高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种加热装置、定影装置和成像装置,它们 能缩短升高发热构件的温度的时间,并且能抑制该发热构件的温度降低。

涉及本发明第一方面的加热装置包括:产生磁场的磁场发生单元; 发热构件,该发热构件布置成面对所述磁场发生单元,并通过所述磁场 的电磁感应而发热,且具有厚度比趋肤深度簿的发热层;温敏构件,该 温敏构件布置成面对所述发热构件的与所述磁场发生单元所处一侧相反 的一侧,并通过所述磁场的电磁感应而发热,且包括温敏磁性构件,该 温敏磁性构件的导磁率从导磁率变化开始温度开始连续减小,该导磁率 变化开始温度位于大于等于设定温度并小于等于耐热温度的温度区域 内;以及接近/分离机构,该接近/分离机构在所述温敏构件的温度达到所 述设定温度之前将所述温敏构件保持在与所述发热构件分离的状态下, 并在所述温敏构件达到所述设定温度时和之后使所述温敏构件接触所述 发热构件。

与不具有本发明结构的情况相比,涉及上述结构的加热装置能缩短 升高发热构件的温度的时间,并且能抑制该发热构件的温度降低。

涉及本发明第一方面的加热装置可构造成设置有感测所述温敏构件 的温度的温度传感器,并且在由该温度传感器感测的所述温敏构件的温 度未达到基准设定温度时,所述接近/分离机构不使所述温敏构件接触所 述发热构件。

与不具有本发明结构的情况相比,涉及上述结构的加热装置抑制了 所述发热构件的温度降低。

在涉及本发明第一方面的加热装置中,可设置包括所述磁场发生单 元的第一加热源、加热所述温敏构件并且不同于所述磁场发生单元的第 二加热源,所述第二加热源可在所述温敏构件的温度达到大于等于设定 温度之前的时间段内加热所述温敏构件。

与不具有本发明结构的情况相比,涉及上述结构的加热装置可使温 敏构件的温度迅速升高至基准设定温度。

在涉及本发明第一方面的加热装置中,所述第二加热源可以是布置 在所述温敏构件的与所述磁场发生单元所处一侧相反的一侧的平面发热 体。

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