[发明专利]一种镁及镁合金表面致密性氟化物陶瓷膜的制备方法

权利要求书

1.一种镁及镁合金表面致密性氟化物陶瓷膜的制备方法，其特征在于：镁或镁合金表面经过化学钝化，再在氟化物电解液中进行单、双脉冲陶瓷膜的制备。

2.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面致密性氟化物陶瓷膜的制备方法，其特征在于：镁合金表面经过化学钝化，钝化液包括氢氟酸、磷酸、氟化氢胺之一种或两种的水溶液。

3.根据权利要求1所述的镁及镁含金表面致密性氟化物陶瓷膜的制备方法，其特征在于，镁合金表面单脉冲氧化膜的制备，按重量百分比计，采用氟化物电解液如下，

主盐：氟化钾或氟化内，10～30g/L；

pH调节剂：氢氟酸、磷酸、酒石酸或柠檬酸，3～10ml/L；

稳定剂：柠檬酸盐或酒石酸盐，1～5g/L；

添加剂：磷酸盐，5～10g/L；

余量为水；

单脉冲氧化膜制备过程中，电解液温度20～50℃，电源模式为单脉冲，氧化终电压为300～350V，氧化时间为5～10分钟，电流密度1～3A/dm²，频率为500～1000Hz，占空比为(0.3～1)×10^-3ms，获得的氧化膜厚度为5～10um。

4.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面致密性氟化物陶瓷膜的制备方法，其特征在于，镁合金表面双脉冲氧化膜的制备，按重量百分比计，采用氟化物电解液如下，

主盐：氟化钾或氟化钠，10～30g/L；

pH调节剂：氢氟酸、磷酸、酒石酸或柠檬酸，3～10ml/L；

稳定剂：柠檬酸盐或酒石酸盐，1～5g/L；

添加剂：磷酸盐，5～10g/L；

余量为水；

双脉冲氧化膜制备过程中，电解液温度20～50℃，电源模式为双脉冲，氧化时间为20～40分钟，正向终电压为400～450V，负向终电压为30～70V，电流密度2～3A/dm²，频率为500～1000Hz，正、负占空比为(1∶1～3∶2)×10^-3ms，获得的氧化膜厚度为15～30um。

5.根据权利要求3或4所述的镁及镁合金表面致密性氟化物陶瓷膜的制备方法，其特征在于磷酸盐包括正磷酸钾、正磷酸钾钠、磷酸二氢钾、磷酸二氢钠、磷酸一氢钾、磷酸一氢钠、三聚磷酸钾或三聚磷酸钠。