[发明专利]一种制备CuW/Y2O3复相触头材料的方法无效

专利信息
申请号: 200910021746.X 申请日: 2009-03-30
公开(公告)号: CN101515512A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 杨晓红;范志康;梁淑华;肖鹏;邹军涛;王献辉 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01H11/04 分类号: H01H11/04;H01H1/021;C22C1/04
代理公司: 西安弘理专利事务所 代理人: 罗 笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 cuw sub 复相触头 材料 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于材料制备技术领域,涉及一种制备CuW/Y2O3复相触头材料的方法。

背景技术

CuW合金应用于高压开关中的触头材料。随着高压开关向超特高电压、大容量方向发展,对CuW材料的性能提出了更高的要求,需要研制和开发新型的性能更为优异的CuW触头材料。

CuW合金触头在工作过程中,由于高压电弧的作用,触头表面发生加热、熔化、气化、流动、凝固等物理冶金过程,导致触头表面产生软化、喷溅、流动、裂纹等现象,因此,要求CuW触头材料除了具有良好的机械物理性能外,还应具有分散电弧的特性以减轻电弧的烧蚀性。

Y2O3陶瓷相具有比Cu、W较低的逸出功,因此在电击穿过程中可做为首先发射电子的部位,它在CuW组织中的弥散分布能起到分散电弧的作用;另一方面,在高温电弧作用下,由于铜相的熔化和挥发,材料强度则主要取决于钨骨架的高温强度,但钨高温强度随温度上升而显著下降,在1000℃时的强度只有室温强度的20%~40%,因此研制耐烧蚀性优良的CuW复相触头材料具有现实的需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种制备CuW/Y2O3复相触头材料的方法,用该方法制备的含Y2O3的CuW复相触头材料在电击穿过程中,电弧在该材料表面得到有效分散,有效提高了CuW触头材料的耐烧蚀性。

本发明所采用的技术方案是,一种制备CuW/Y2O3复相触头材料的方法,该方法按以下步骤进行,

a、按照质量比为1∶0.2%~1.0%的比例称取钨粉和Y2O3粉,将所称的钨粉与Y2O3粉放入混料罐中;

b、按钨粉与Y2O3粉总质量的5%~8%称取诱导铜粉,将诱导铜粉添加到混料罐中;

c、在混料罐中加入工业酒精,使粉末有湿润感即可,按钨粉、Y2O3粉和诱导铜粉总质量的2~3倍加入非等径磨球进行混料,混料时间为5~7小时,得到混合料;

d、将步骤c混好的混合料倒入轴向压制的钢制模具内,在340±20MPa的压力下模压成钨压坯;

e、将熔渗金属铜块与步骤d得到的钨压坯叠置在一起,放入铺好石墨纸的石墨坩埚内,置于高温H2气氛烧结炉内,先进行钨压坯骨架的烧结,烧结温度为900℃~1000℃,烧结时间为1.5~2小时;再进行钨压坯骨架的熔渗,熔渗温度为1200℃~1400℃,熔渗时间为1.5~2小时即成。

本发明采用熔渗法制备添加Y2O3相的CuW复相触头材料,该方法得到的CuW/Y2O3复相触头材料具有优良的耐烧蚀性;该方法工艺简单,且易于控制。

附图说明

图1为CuW合金和含Y2O3的CuW合金的电导率对比曲线;

图2是现有的CuW触头材料进行50次电击穿后的SEM烧蚀形貌;

图3是用本发明的方法制备得到的含0.4%Y2O3的CuW复相触头材料进行50次电击穿后的烧蚀形貌;

图4是现有的CuW触头材料进行首次电击穿后的SEM组织照片;

图5是用本发明的方法制备得到的含0.4%Y2O3的CuW复相触头材料发

生首次电击穿后的SEM组织照片。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

本发明制备CuW/Y2O3复相触头材料的方法,借鉴了溶渗法的一般原理,具体按以下步骤进行,

a、称取钨粉和Y2O3粉,其中钨粉与Y2O3粉的质量比为1∶0.2%~1.0%,配制好后放入混料罐中;其中混粉时将Y2O3粉添加在W粉中,易于硬质陶瓷相Y2O3颗粒在W粉中分布均匀。

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