[发明专利]一种低氧含量C掺杂MgB2超导材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910023067.6 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101580392A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘国庆;闫果;王庆阳;熊晓梅;焦高峰;李成山;冯勇 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/58 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低氧 含量 掺杂 mgb sub 超导 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低氧含量C掺杂MgB2超导材料的制备方法，其特征在于，制备过程为：
(1)原料选用纯度为99.999％的高纯晶态硼粉、纯度为99.8％的分析纯镁粉和纯度为99.9％的分析纯无定形碳粉或纳米碳粉；
(2)将步骤(1)中的原料按照Mg∶B∶C＝1∶2-x∶x的原子数比配料，其中0.05≤x≤0.20，充分混合研磨1-2小时，然后压制成片或块；
(3)将步骤(2)中压制成的片或块置于真空退火炉中，对真空退火炉抽真空，待真空退火炉的真空度达到10-3Pa后，充入氩气或者氩气和氢气的混合气，其中所述氩气与氢气的体积百分比为18-20∶1，然后以30-60℃/分钟的升温速率升温至650-850℃，恒温0.5-8小时，最后以25-50℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制得氧化物质量百分含量小于2.5％的低氧含量C掺杂MgB2超导材料。
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