[发明专利]电平转移电路有效
申请号: | 200910024637.3 | 申请日: | 2009-02-25 |
公开(公告)号: | CN101494450A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 保罗格·兰德维兹;蔡立达;马里剑;洪锦维 | 申请(专利权)人: | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 夏 平 |
地址: | 215163江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 转移 电路 | ||
1.一种电平转移电路,包括P型晶体管P1和P型晶体管P2,其特征是所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD,P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN,P型晶体管P1的栅极和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV;P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1,P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极、N型晶体管N3的栅极和N型晶体管N4的栅极,N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极,N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS;P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2,P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极、N型晶体管N1的栅极和N型晶体管N2的栅极,N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极,N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。
2.根据权利要求1所述的电平转移电路,其特征是所述P型晶体管P1的漏极和P型晶体管P2的漏极之间设有N型晶体管N5和N型晶体管N6,P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N5的漏极,P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N6的漏极,N型晶体管N5的栅极和N型晶体管N6的栅极连接偏置电压VBIAS。
3.根据权利要求1所述的电平转移电路,其特征是所述输出通道OUT1和输出通道OUT2分别连接到一个支路电流产生电路的不同的输入端或者所述输出通道OUT1和输出通道OUT2分别连接到不同的支路电流产生电路的不同输入端。
4.一种电平转移电路,包括N型晶体管N1和N型晶体管N2,其特征是所述N型晶体管N1的源极和N型晶体管N2的源极分别连接源极电源VSS,N型晶体管N1的栅极连接输入引脚IN,N型晶体管N1的栅极和N型晶体管N2的栅极之间设有反相器INV;N型晶体管N1的漏极为输出通道OUT1,N型晶体管N1的漏极连接P型晶体管P1的漏极、P型晶体管P3的栅极和P型晶体管P4的栅极,P型晶体管P1的源极连接P型晶体管P3的漏极,P型晶体管P3的源极连接电源VDD;N型晶体管N2的漏极为输出通道OUT2,N型晶体管N2的漏极连接P型晶体管P2的漏极、P型晶体管P1的栅极和P型晶体管P2的栅极,P型晶体管P2的源极连接P型晶体管P4的漏极,P型晶体管P4的源极连接电源VDD。
5.根据权利要求4所述的电平转移电路,其特征是所述N型晶体管N1的漏极和N型晶体管N2的漏极之间设有P型晶体管P5和P型晶体管P6,N型晶体管N1的漏极连接P型晶体管P5的漏极,N型晶体管N2的漏极连接P型晶体管P6的漏极,P型晶体管P5的栅极和P型晶体管P6的栅极连接偏置电压VBIAS。
6.根据权利要求4所述的电平转移电路,其特征是所述输出通道OUT1和输出通道OUT2分别连接到一个支路电流产生电路的不同的输入端或者所述输出通道OUT1和输出通道OUT2分别连接到不同的支路电流产生电路的不同输入端。
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