[发明专利]电平转移电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路，尤其是一种可采用小型器件并且与工艺变化无关的电平转移电路。

背景技术

电平转移电路是一种对不同电平的电路进行信号振幅转换的电路，常用于低电源电压电路输出的控制信号和高电源电压电路之间的通信。

目前普遍使用的电平转移电路，在输入信号电平变化的过程中，极易产生贯穿电流，在有多个相同结构的电平转换电路的情况下，将导致电路耗电量的增加。

如图1所示，是一种现有的电平转移电路的电路图，其结构如下：以电源VDD的电势为高电平，以源极电源VSS的电势为低电平，由输出通道OUT1和输出通道OUT2之间输出输入引脚IN在该高电平和低电平之间变化的信号，同时，向P型晶体管P2的栅极输入由输入引脚IN输入到P型晶体管P1的栅极的反向信号。P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极；P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N2的栅极，N型晶体管N2的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N1的栅极，N型晶体管N1的源极连接源极电源VSS。

当输入引脚IN的电平从低电平变为高电平时，P型晶体管P1和N型晶体管N1以及P型晶体管P2和N型晶体管N2在一瞬态期间将同时导通，在电源VDD的高电势和源极电源VSS的低电势之间产生贯穿电流，增加了瞬态电流，同时降低了电路的转换速度。

发明内容

本发明的目的是在于提供一种可采用小型器件并且与工艺变化无关的电平转移电路。此电路采用一种非并联的电流镜拓扑来增强动态负载电阻，支路电流产生电路提供的支路释放电流可以改善电路速度。

本发明的技术方案是：

一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，其特征是所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV；P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极、N型晶体管N3和N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极、N型晶体管N1和N型晶体管N2的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。

所述P型晶体管P1的漏极和P型晶体管P2的漏极之间设有N型晶体管N5和N型晶体管N6，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N5的漏极，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N6的漏极，N型晶体管N5和N型晶体管N6的栅极连接偏置电压VBIAS。

所述输出通道OUT1与输出通道OUT2连接支路电流产生电路的输入端。

一种电平转移电路，包括N型晶体管N1和N型晶体管N2，其特征是所述N型晶体管N1的源极和N型晶体管N2的源极分别连接源极电源VSS，N型晶体管N1的栅极连接输入引脚IN，N型晶体管N1和N型晶体管N2的栅极之间设有反相器INV；N型晶体管N1的漏极为输出通道OUT1，N型晶体管N1的漏极连接P型晶体管P1的漏极、P型晶体管P3和P型晶体管P4的栅极，P型晶体管P1的源极连接P型晶体管P3的漏极，P型晶体管P3的源极连接电源VDD；N型晶体管N2的漏极为输出通道OUT2，N型晶体管N2的漏极连接P型晶体管P2的漏极、P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极，P型晶体管P2的源极连接P型晶体管P4的漏极，P型晶体管P4的源极连接电源VDD。

所述N型晶体管N1的漏极和N型晶体管N2的漏极之间设有P型晶体管P5和P型晶体管P6，N型晶体管N1的漏极连接P型晶体管P5的漏极，N型晶体管N2的漏极连接P型晶体管P6的漏极，P型晶体管P5和P型晶体管P6的栅极连接偏置电压VBIAS。

所述其特征是所述输出通道OUT1与输出通道OUT2连接支路电流产生电路的输入端。

本发明的有益效果是：

本发明提供的电平转移电路可增强动态负载电阻，为支路电流产生电路提供的支路释放电流可以改善电路速度。本发明的电平转移电路只需采用常规小型器件就可实现，且与工艺变化无关，稳定可靠，实用性强。

附图说明

图1是现有的电平转移电路的电路图。

图2是本发明实施例一的电路图。

图3是本发明实施例二的电路图。