[发明专利]溅镀用晶圆夹表面处理工艺无效
申请号: | 200910025057.6 | 申请日: | 2009-02-18 |
公开(公告)号: | CN101494165A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 林尚涛 | 申请(专利权)人: | 颀中科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/687;C23C14/34 |
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地址: | 215123江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅镀用晶圆夹 表面 处理 工艺 | ||
1.一种溅镀用晶圆夹表面处理工艺,其特征在于其包括如下步骤:
1)去除溅镀材料:首先将晶圆夹用药液进行浸泡,去除晶圆夹上的溅镀材料,然后将晶圆夹表面上的药液进行水洗,使晶圆夹表面上的药液去除,然后用气枪将晶圆夹表面吹干;
2)一次喷砂:使用砂材轰击晶圆夹表面,使晶圆夹表面粗糙,然后用气枪吹净晶圆夹表面上的砂材;
3)对晶圆夹进行熔射处理:用熔融态的铝材料溅射到晶圆夹的表面上,让铝材料在晶圆夹表面均匀沉积;
4)二次喷砂:使用研磨材料轰击已经熔射铝材料的晶圆夹表面,使晶圆夹表面干净、整洁,然后用气枪吹净晶圆夹表面的研磨材质
5)清洗:先用高压水进行清洗,然后用超声波清洗,再然后用超纯水润洗,最后用气枪将晶圆夹表面水分去除;
6)干燥:将晶圆夹进行无尘干燥。
2.如权利要求1所述的一种溅镀用晶圆夹表面处理工艺,其特征在于:所述铝材料在晶圆夹表面的粗糙度Rz为110-150μm。
3.如权利要求1所述的一种溅镀用晶圆夹表面处理工艺,其特征在于:步骤4)中超声波清洗的时间为3-5分钟。
4.如权利要求1所述的一种溅镀用晶圆夹表面处理工艺,其特征在于:步骤4)中用超纯水润洗的时间为20-30分钟。
5.如权利要求1所述的一种溅镀用晶圆夹表面处理工艺,其特征在于:步骤5)中环境温度为150℃,干燥时间为2.5~3小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造