[发明专利]随机存储器的存储读取方法

权利要求书

1.一种随机存储器的存储读取方法，该随机存储器包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的栅极与写字线连接，第一晶体管的漏极与写位线连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的漏极接地，第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接、第三晶体管的栅极与读字线连接，第三晶体管的源极与读位线连接，其特征在于：写位线的电位输入不同电压时写入不同的存储值，第一晶体管源极输出不同的电压至第二晶体管的栅极，调节第二晶体管栅极的电压，使第二晶体管与第三晶体管组成的放电电路产生不同的电流，使读位线产生不同电位，设置不同的参考电压，比较读位线与参考电压的大小以读取不同的存储值。

2.如权利要求1所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：在第一晶体管的源极和地之间形成有一个节点等效电容，写字线为高电平时，写位线通过第一晶体管给所述节点等效电容充电。

3.如权利要求1所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：前述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管为MOSFET场效晶体管。

4.如权利要求3所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：前述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管为NMOS场效应晶体管。

5.如权利要求3所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：前述第一晶体管为PMOS场效应晶体管，前述第二晶体管、第三晶体管为NMOS场效应晶体管。

6.如权利要求3所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：在写字线为高时，对存储器写入，写位线为第一晶体管开启电压V_th+0.6V时写入11，写位线为第一晶体管开启电压V_th+0.4V时写入10，写位线为第一晶体管开启电压V_th+0.2V时写入01，写位线为0V时写入00。

7.如权利要求3所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：在写字线为高时，对存储器写入，写位线为第一晶体管开启电压V_th+0.6V时写入01，写位线为开启电压V_th+0.4V时写入10，写位线为开启电压V_th+0.2V时写入11，写位线为0V时写入00。

8.如权利要求6或7所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：读字线为高时，读位线被预充电到V_DD。

9.如权利要求8所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：所述参考电压包括第一参考电压、第二参考电压、第三参考电压，其中V_DD大于第一参考电压，第一参考电压大于第二参考电压，第二参考电压大于第三参考电压，若读位线的电位大于第一参考电压，则读取的写入数据为00，若读位线的电位大于第二参考电压小于第一参考电压则读取的写入数据为01，若读位线的电位小于第二参考电压大于第三参考电压，则读取的写入数据为10，若读位线的电位小于第三参考电压，则读取的写入数据为11。

10.如权利要求8所述的随机存储器的存储读取方法，其特征在于：所述参考电压包括第一参考电压、第二参考电压、第三参考电压，其中V_DD大于第一参考电压，第一参考电压大于第二参考电压，第二参考电压大于第三参考电压，若读位线的电位大于第一参考电压，则读取的写入数据为00，若读位线的电位大于第二参考电压小于第一参考电压则读取的写入数据为11，若读位线的电位小于第二参考电压大于第三参考电压，则读取的写入数据为10，若读位线的电位小于第三参考电压，则读取的写入数据为01。