[发明专利]随机存储器的存储读取方法

说明书

【技术领域】

本发明是关于一种随机存储器的存储读取方法，特别是关于一种能提高存储器存储容量从而减小存储器面积的存储读取方法。

【背景技术】

随着电子技术的发展，集成电路在电子设备中的作用越来越核心，甚至有些电子产品的功能完全取决于集成电路的功能。

一个具有完整功能的集成电路通常包括不同的功能模块，有些大型的系统集成电路中通常还会设置随机存储器来存储系统执行过程中的数据。而随着人们处理数据的数据量越来越大，需要的随机存储器容量也越来越大，而现有的随机存储器的存储能力有限，为存储更多的数据，则需要在集成电路中设置更多地随机存储器，则随机存储器在系统集成电路中所占的面积的比例也越来越大，而集成电路的面积越大则相应地芯片的成本也越高。而且现有的电子产品越来越倾向于小型便携化，所以缩小随机存储器在系统集成电路中所占的面积比例变得越来越重要了，在满足正常功能的情况下，减小随机存储器的面积就等于减少了芯片成本，提高了产品的竞争力。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种随机存储器的存储读取方法，能提高随机存储器的存储容量，减小随机存储器在集成电路中所占的面积。

为达成前述目的，一种随机存储器的存储读取方法，该随机存储器包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的栅极与写字线连接，第一晶体管的漏极与写位线连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的漏极接地，第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接、第三晶体管的栅极与读字线连接，第三晶体管的源极与读位线连接，写位线的电位输入不同电压时写入不同的存储值，第一晶体管源极输出不同的电压至第二晶体管的栅极，调节第二晶体管栅极的电压，使第二晶体管与第三晶体管组成的放电电路产生不同的电流，使读位线产生不同电位，设置不同的参考电压，比较读位线与参考电压的大小以读取不同的存储值。

与现有技术相比，本发明的随机存储器存储读取方法，在写位线的电位输入不同的电压时写入不同的存储值，通过调节第二晶体管栅极的电压改变第二晶体管和第三晶体管的放电电流，从而改变读位线的电位，然后设置不同的参考电压，通过比较读位线与参考电压的大小以判断读取不同的存储值。本发明的方法可以增加随机存储器的存储容量，同样的存储容量下则相当于减小了随机存储器的面积，减少了芯片成本。

【附图说明】

图1为本发明随机存储器的一个单元的结构示意图。

图2为本发明随机存储器参考电压与读位线电压比较示意图。

【具体实施方式】

请参阅图1所示，其显示本发明随机存储器的其中一个单元的示意图。如图所示，本发明随机存储器10的一端包括用于输入存储数据的写位线WBL和用于驱动存储器输入的写字线WWL，另一端包括用于读取存储数据的读位线RBL和用于驱动读取存储器的读字线RWL。

本发明随机存储器10还包括三个MOSFET场效应晶体管M1、M2、M3，其中第一晶体管M1的栅极与写字线WWL连接，第一晶体管M1的漏极与写位线WBL连接，第一晶体管M1的源极与第二晶体管M2的栅极连接，第二晶体管M2的漏极接地，第二晶体管M2的源极与第三晶体管M3的漏极连接，第三晶体管M3的栅极与读字线RWL连接，第三晶体管M3的源极与读位线RBL连接。其中在第一晶体管M1的源极与第二晶体管M2的栅极之间形成有一个节点等效电容C_s，节点等效电容C_s的另一端接地。

在向该随机存储器10写入数据时，写字线WWL输入高电平，该高电平加到第一晶体管M1的栅极，则驱动第一晶体管M1导通，写位线WBL通过第一晶体管M1向节点等效电容C_s充电，可以写入数据。本发明随机存储器10的一个具体实施例中可以设定，当写位线WBL的电位为第一晶体管M1的开启电压V_th+0.6伏特时写入11，当写位线WBL的电位为第一晶体管M1的开启电压V_th+0.4伏特时，写入10，当写位线WBL的电位为第一晶体管M1的开启电压V_th+0.2伏特时，写入01。当写位线WBL的电压为0时，写入00。在写好数据之后写字线WWL变为低电平，电荷储存于节点等效电容C_s上。