[发明专利]离线浅绿色低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种离线浅绿色低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：所述玻 璃基片上依次设有氧化钛TiOx、氧化锡SnOx、金属银Ag层、氧化镍铬NiCrOx、 氧化锡SnOx、氮化硅SiNx，所述玻璃基片的厚度为3～15mm，所述氧化钛TiOx 的厚度为15nm～25nm，所述氧化锡SnOx的厚度为15nm～25nm，所述金属银Ag 的厚度为18nm～22nm，所述氧化镍铬NiCrOx的厚度为23nm～27nm，所述氧化 锡SnOx的厚度为55nm～65nm，所述氮化硅SiNx的厚度为35nm～45nm。

2.一种离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步 骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸用切割机进行切割，用清洗机对玻 璃基片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa，线速度设置为2         米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为 18KW～22KW，在玻璃基片上溅射第一层15nm～25nm的氧化钛TiOx；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为16KW～20KW，在玻璃基片 上溅射第二层15nm～25nm的氧化锡SnOx；

E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为7KW～8KW，在玻璃基片上 溅射第三层18nm～22nm的金属银Ag；

F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为7.5KW～8.5KW，在玻璃基 片上溅射第四层23nm～27nm的氧化镍铬NiCrOx；

G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为70KW～74KW，在玻璃基片 上溅射第五层55nm～65nm的氧化锡SnOx；

H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为63KW～67KW，在玻璃基片 上溅射第六层35nm～45nm的氮化硅SiNx。

3.根据权利要求2所述离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在 于：所述步骤A中，玻璃基片的厚度为6mm；；

所述步骤C中，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为20KW，在玻璃 基片上溅射第一层20nm的氧化钛TiOx；

所述步骤D中，设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为18KW，在玻璃 基片上溅射第二层15nm的氧化锡SnOx；

所述步骤E中，设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为7.5KW，在玻 璃基片上溅射第三层20nm的金属银Ag；

所述步骤F中，设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为8KW，在玻璃 基片上溅射第四层25nm的氧化镍铬NiCrOx；

所述步骤G中，设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为72KW，在玻璃 基片上溅射第五层60nm的氧化锡SnOx；

所述步骤H中，设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为65KW，在玻璃 基片上溅射第六层40nm的氮化硅SiNx。