[发明专利]离线浅绿色低辐射镀膜玻璃及其制备方法

说明书

技术领域：

本发明涉及一种玻璃及其制备方法，特别是一种离线浅绿色低辐射镀膜玻 璃及其制备方法。

背景技术：

现有的普通透明玻璃应用很广泛，其透射范围正好与太阳辐射光谱区域重 合，因此，在透过可见光的同时，阳光中的红外线热能也能大量透过玻璃，而 3～5um中红外波段的热能又被大量的吸收，对暖气发出的波长5um以上的热辐 射，普通玻璃不能直接透过而是近乎完全吸收，并通过传导、辐射及与空气对 流的方式将能热传递到室外，使室内的温度降低，另外，普通玻璃不能阻挡紫 外线，易使室内的家俱和织物褪色，目前还有一种浅绿色的低辐射镀膜玻璃， 基本上都是以绿玻为基片来生产，以白玻为基片所生产出来的镀膜玻璃a*值为 -5左右(a*值可通过分光仪检测出)只有在绿玻上镀膜的产品a*值才能达到-7 左右。由于色玻价格高(相对同规格的白玻)和其工艺的不稳定性(不同批次 的色玻很容易有色差出现)造成镀膜玻璃最终产品的价格偏高和出现色差的现 象。

发明内容：

本发明的目的是为了克服以上的不足，提供一种达到在白玻上镀膜后a*值 ≤-8，完全可以替代绿玻镀膜的效果，价格低廉，工艺稳定的离线浅绿色低辐 射镀膜玻璃及其制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种离线浅绿色低辐射镀膜玻璃， 包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有氧化钛TiOx、氧化锡SnOx、金属银 Ag、氧化镍铬NiCrOx、氧化锡SnOx、氮化硅SiNx。

离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸用切割机进行切割，用清洗机对玻 璃基片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10³Pa，线速度设置为2 米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为 18KW～22KW，在玻璃基片上溅射第一层15nm～25nm的氧化钛TiOx；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为16KW～20KW，在玻璃基片 上溅射第二层15nm～25nm的氧化锡SnOx；

E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为7KW～8KW，在玻璃基片上 溅射第三层18nm～22nm的金属银Ag；

F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为7.5KW～8.5KW，在玻璃基 片上溅射第四层23nm～27nm的氧化镍铬NiCrOx；

G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为70KW～74KW，在玻璃基片 上溅射第五层55nm～65nm的氧化锡SnOx；

H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为63KW～67KW，在玻璃基片 上溅射第六层35nm～45nm的氮化硅SiNx。

本发明与现有技术相比具有以下优点：在不使用绿玻为基片的情况下，可 以使镀膜玻璃的a*值≤-8，且价格低廉，工艺稳定。

具体实施方式：

为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详 述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。

本发明离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的一种实施方式为：离线浅绿色低辐射 镀膜玻璃包括玻璃，3mm～15mm玻璃基片上依次设有15nm～25nm的氧化钛 TiOx、15nm～25nm的氧化锡SnOx、18nm～22nm的金属银Ag层、23nm～27nm 的氧化镍铬NiCrOx、55nm～65nm的氧化锡SnOx、35nm～45nm的氮化硅SiNx。

离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸用切割机进行切割，用清洗机对玻 璃基片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10³Pa，线速度设置为2 米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为 18KW～22KW，在玻璃基片上溅射第一层15nm～25nm的氧化钛TiOx；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为16KW～20KW，在玻璃基片 上溅射第二层15nm～25nm的氧化锡SnOx；