[发明专利]一种半导体浅沟槽隔离方法有效
| 申请号： | 200910031686.X | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101930940A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 马擎天;许宗能;朱旋;肖玉洁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/764;H01L21/762;H01L21/822;H01L21/8238 |
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| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 沟槽 隔离 方法 | ||
1.一种半导体浅沟槽隔离方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底表面沉积垫氧化层和垫氮化硅层；蚀刻垫氧化层、垫氮化硅层及硅衬底，在硅衬底上形成沟槽；在沟槽的内壁及底面形成一层衬氧化层；利用高密度等离子化学气相沉积工艺在硅衬底表面沉积氧化硅层；移除垫氮化硅层及垫氧化层；其特征在于：其还包括在沉积高密度等离子体之前还包括在沟槽内的衬氧化层表面形成一层衬氮化硅层的步骤，以及在移除垫氮化硅及垫氧化层之后对衬氮化硅进行蚀刻使有源区与高密度等离子区之间形成一个空洞的步骤。
2.如权利要求1所述的半导体浅沟槽隔离方法，其特征在于：前述衬氮化硅层是通过炉管淀积工艺形成。
3.如权利要求1所述的半导体浅沟槽隔离方法，其特征在于：前述衬氮化硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的半导体浅沟槽隔离方法，其特征在于：在对衬氮化硅进行蚀刻使有源区与高密度等离子区之间形成一个空洞的步骤之前，还包括在硅衬底表面形成半导体器件的栅极，并且在栅极的两侧形成氮化硅侧壁，然后对半导体器件的源漏进行离子注入的步骤。
5.如权利要求1所述的半导体浅沟槽隔离方法，其特征在于：对衬氮化硅进行蚀刻使有源区与高密度等离子区之间形成一个空洞的步骤之后还包括在硅衬底表面淀积一层接触孔停止层的步骤，该接触孔停止层将前述空洞的开口封口，使等离子体氧化层和有源区之间形成真空隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
