[发明专利]一种应用纳米技术促进铁皮石斛快速增殖的组培方法在审

专利信息
申请号: 200910038123.3 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN101548644A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 刘星华 申请(专利权)人: 刘星华;刘宏源
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518002广东省深圳市深南东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 纳米技术 促进 铁皮 石斛 快速 增殖 方法
【权利要求书】:

1.一种应用纳米技术促进铁皮石斛快速增殖的组培方法,其特征在于该方法包括下列步骤:

(1)外植体的选择与灭菌;

(2)腋芽的萌发;

(3)丛生芽诱导;

(4)成苗培养;

(5)炼苗和移栽;

在步骤(1)中,选择当年萌生的幼嫩茎尖,先用无菌水冲洗干净,去除叶鞘,切成具有1-4个腋芽和长3-5cm段,用0.5g/L的多菌灵溶液浸泡2-3个小时,再用75%乙醇消毒30秒钟,用0.1%升汞水浸泡20分钟,无菌水冲洗5-6次,取出材料,切成具有一个腋芽和长度为1cm的小段,最后用12%次氯酸钠杀菌30秒钟,无菌水冲洗5-6次;

在步骤(2)中,所采用的培养基为:加入5mg/mL-20mg/mL浓度的纳米颗粒材料,0.5mg/L的6-BA、1.0mg/L的NAA和150.0mg/L的椰子汁的1/2N6培养基;培养条件为在25±1℃、光照1500-2000Lx和光照时间为8-10小时/天;

在步骤(3)中,所采用的培养基为:加入5mg/mL-20mg/mL浓度的纳米颗粒材料,1.0mg/L NAA和150.0mg/L的椰子汁的1/2N6培养基;培养条件为在25±1℃、光照1500-2000Lx和光照时间为8-10小时/天;

在步骤(4)中,所采用的培养基为:加入5mg/mL-20mg/mL浓度的纳米颗粒材料,0.1mg/L的6-BA和1.0mg/L NAA的2/3MS成苗培养基;培养条件为在在25±1℃、光照1500-2000Lx和光照时间为8-10小时/天。 

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