[发明专利]用于单粒子瞬变(SET)加固的差分压控振荡器(VCO)电路结构

权利要求书

1、一种用于单粒子瞬变(SET)加固的差分压控振荡器(VCO)结构，由N个差分延迟单元级联而成，环路特征在于：第一个差分延迟单元的差分输入(IN+)和(IN-)分别接第N个差分延迟单元的差分输出(OUT-)和(OUT+)，第二个至第N个延迟单元的差分输入(IN+)和(IN-)分别接前一个延迟单元的差分输出(OUT+)和(OUT-)，控制电压(Vcont)接入每个差分延迟单元的(Vcont)端口，所有延迟单元的电流源管(M7)的漏极(Vp)短接在一起，从而组成环形差分VCO结构。

2、根据权利要求1用于形成SET加固压控振荡器(VCO)的差分延迟单元，其特征在于：它包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M7)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M5)、第四PMOS管(M6)，其中第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)组成差分对管，其栅极分别接差分输入(IN+)和(IN-)，漏极分别接差分输出节点(OUT-)和(OUT+)，第三个NMOS管(M7)为尾电流源，其栅极接(Vb)，主要是保证电流源电流在(M1)和(M2)之间周期性的分配，用于控制差分延迟的第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)接在差分输出节点(OUT-)、(OUT+)和电源电压VDD之间，栅极都接控制电压，交叉耦合的第三PMOS管(M5)和第四PMOS管(M6)漏极分别接差分输出(OUT-)和(OUT+)，栅极分别接差分输出(OUT+)和(OUT-)，第一PMOS管(M3)和第三PMOS管(M5)并联组成延迟单元的复合负载，第二PMOS管(M4)和第四PMOS管(M6)并联组成复合负载。