[发明专利]用于单粒子瞬变(SET)加固的差分压控振荡器(VCO)电路结构无效
申请号: | 200910043637.8 | 申请日: | 2009-06-09 |
公开(公告)号: | CN101572546A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 赵振宇;郭斌;李少青;张民选;马卓;陈吉华;陈怒兴;郭阳;李俊丰;肖海鹏;唐李红;石大勇 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099;H03L1/00;H03K5/13;H03B5/04 |
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地址: | 410073湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 粒子 set 加固 压控振荡器 vco 电路 结构 | ||
1、一种用于单粒子瞬变(SET)加固的差分压控振荡器(VCO)结构,由N个差分延迟单元级联而成,环路特征在于:第一个差分延迟单元的差分输入(IN+)和(IN-)分别接第N个差分延迟单元的差分输出(OUT-)和(OUT+),第二个至第N个延迟单元的差分输入(IN+)和(IN-)分别接前一个延迟单元的差分输出(OUT+)和(OUT-),控制电压(Vcont)接入每个差分延迟单元的(Vcont)端口,所有延迟单元的电流源管(M7)的漏极(Vp)短接在一起,从而组成环形差分VCO结构。
2、根据权利要求1用于形成SET加固压控振荡器(VCO)的差分延迟单元,其特征在于:它包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M7)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M5)、第四PMOS管(M6),其中第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)组成差分对管,其栅极分别接差分输入(IN+)和(IN-),漏极分别接差分输出节点(OUT-)和(OUT+),第三个NMOS管(M7)为尾电流源,其栅极接(Vb),主要是保证电流源电流在(M1)和(M2)之间周期性的分配,用于控制差分延迟的第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)接在差分输出节点(OUT-)、(OUT+)和电源电压VDD之间,栅极都接控制电压,交叉耦合的第三PMOS管(M5)和第四PMOS管(M6)漏极分别接差分输出(OUT-)和(OUT+),栅极分别接差分输出(OUT+)和(OUT-),第一PMOS管(M3)和第三PMOS管(M5)并联组成延迟单元的复合负载,第二PMOS管(M4)和第四PMOS管(M6)并联组成复合负载。
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