[发明专利]存储器

权利要求书

1、一种存储器，包括：

半导体基底；

在半导体基底其内设有掺杂形成的源区和漏区以及在所述源区和漏区之间的沟道区；

位于半导体基底上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上，且由多晶硅制成的电荷存储层，其特征在于：所述电荷存储层内设有Si_1-xGe_x导电层。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：在所述电荷存储层上设有第二绝缘层。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于：所述第二绝缘层为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物、其它高介电常数介质层或其中的任意组合。

4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于：所述第二绝缘层上设有多晶硅或其它导电材料制成的控制栅。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：在所述电荷存储层侧面设有多晶硅或其它导电材料制成的控制栅。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于：所述电荷存储层与所述控制栅之间通过第二绝缘层进行隔离。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述Si_1-xGe_x导电层中x值的范围为0～1。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述电荷存储层为n型电荷存储层或p型电荷存储层。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述沟道区为n型沟道区或p型沟道区。

10.一种存储器，包括：

半导体基底；

在半导体基底其内设有掺杂形成的源区和漏区以及在所述源区和漏区之间的沟道区；

位于半导体基底上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上，且由多晶硅制成的电荷存储层；

其特征在于：所述电荷存储层上设有Si_1-xGe_x导电层。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于：所述Si_1-xGe_x导电层上设有第二绝缘层。

12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于：所述第二绝缘层上设有多晶硅或其它导电材料制成的控制栅。

13.如权利要求11或12所述的存储器，其特征在于：所述第二绝缘层为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物、其它高介电常数介质层或其中的任意组合。

14.如权利要求10所述的存储器，其特征在于：在所述电荷存储层与Si_1-xGe_x导电层侧面设有多晶硅或其它导电材料制成的控制栅。

15.如权利要求14所述的存储器，其特征在于：所述电荷存储层及Si_1-xGe_x导电层与所述控制栅之间通过第二绝缘层进行隔离。

16.如权利要求10所述的存储器，其特征在于：所述Si_1-xGe_x导电层中x值的范围为0～1。

17.如权利要求10所述的存储器，其特征在于：所述电荷存储层为n型电荷存储层或p型电荷存储层。

18.如权利要求10所述的存储器，其特征在于：所述沟道区为n型沟道区或p型沟道区。