[发明专利]一种VDMOS及其制造方法有效
| 申请号： | 200910045704.X | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101789376A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;季明华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/31;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 及其 制造 方法 | ||
1.一种VDMOS制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底内形成位于基底层上的掺杂层；
在所述掺杂层上形成栅极区；
在所述掺杂层形成位于栅极区两侧的隔离阱；
在所述隔离阱形成源极区；
在所述掺杂层形成暴露出基底层的开口；
在所述开口内形成隔离侧墙；
沿开口在所述基底层形成漏极区；
在所述开口内填充导电物质，形成导电插塞。
2.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述掺杂层的形成方法为离子注入技术，注入第一离子。
3.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述栅极区依次包括栅氧层、多晶硅层、硅化物层以及形成在所述栅氧层、多晶硅层、硅化物层两侧的侧墙。
4.根据权利要求3所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述栅氧层形成方法为热氧化法或者为CVD沉积法。
5.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述隔离阱的形成方法为离子注入技术，注入第二离子。
6.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述源极区的形成方法为离子注入技术，注入第一离子。
7.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述开口的形成方法为等离子刻蚀技术。
8.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述隔离侧墙的形成方法为回刻蚀技术。
9.根据权利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述漏极区的形成方法为离子注入技术，注入第一离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
