[发明专利]CMOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包含硅基底、位于硅基底上的氧化层和 位于氧化层上的顶层硅；

在顶层硅上形成与其导电类型相反的含硅层；

刻蚀含硅层和顶层硅，定义n型源/漏极区域；

刻蚀氧化层，形成栅极图形区，且在栅极图形区的n型源/漏极区域下方形 成通孔，通孔内只残留硅基底上的部分氧化层；

在栅极图形区依次形成环绕顶层硅和含硅层的栅介质层和栅极；

刻蚀含硅层和部分顶层硅，定义p型源/漏极区域；

在栅极两侧n型源/漏极区域的顶层硅内形成n型轻掺杂漏极，在栅极两侧 p型源/漏极区域的含硅层内形成p型轻掺杂漏极；

在栅极两侧、含硅层及部分顶层硅两侧形成侧墙；

在栅极及侧墙两侧n型源/漏极区域的顶层硅内形成n型源/漏极，在栅极及 侧墙两侧p型源/漏极区域的含硅层内形成p型源/漏极。

2.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述含硅层 材料为锗硅。

3.根据权利要求2所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成含硅层 的方法为外延生长法。

4.根据权利要求3所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述含硅层 的厚度为10nm～100nm。

5.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成p型轻 掺杂漏极所注入的离子为硼离子。

6.根据权利要求5所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述硼离子 浓度为10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3，剂量为10¹³cm^-2～10¹⁵cm^-2，能量为500eV～2000eV。

7.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成n型轻 掺杂漏极所注入的离子为磷离子或砷离子。

8.根据权利要求7所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述磷离子 或砷离子浓度为10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3，剂量10¹³cm^-2～10¹⁵cm^-2，能量为 100KeV～200KeV。

9.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成p型源 /漏极所注入的离子为硼离子。

10.根据权利要求9所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述硼离子 浓度为10¹⁹cm^-3～10²¹cm^-3，剂量为10¹⁵cm^-2～10¹⁶cm^-2，能量为1KeV～5KeV。

11.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成n型源 /漏极所注入的离子为磷离子或砷离子。

12.根据权利要求11所述CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述磷离 子或砷离子浓度为10¹⁹cm^-3～10²¹cm^-3，剂量为10¹⁵cm^-2～10¹⁶cm^-2，能量为 50KeV～200KeV。

13.一种CMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包 含硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅；位于顶层硅 上的含硅层，其导电类型与顶层硅相反；位于顶层硅和含硅层中央且环绕 顶层硅和含硅层的栅介质层；位于栅介质层上的栅极；位于栅极两侧含硅 层内的p型轻掺杂漏极；位于栅极两侧顶层硅内的n型轻掺杂漏极；位于 栅极两侧、含硅层及部分顶层硅两侧的侧墙；位于栅极和侧墙两侧含硅层 内的p型源/漏极；位于栅极和侧墙两侧顶层硅内的n型源/漏极。