[发明专利]一种UMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种UMOS的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成位于基底层的掺杂层；

在所述掺杂层形成栅极区；所述栅极区包括U形栅氧和栅电极；

在所述掺杂层形成位于栅极区两侧的隔离阱；

在所述隔离阱形成源极区；

在所述掺杂层形成暴露出基底层的开口；

在所述开口内形成隔离侧墙；

在所述基底层形成对应所述开口的漏极区；

在所述开口内填充导电物质，形成导电插塞。

2.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述掺杂层的形成方法为离子注入技术，注入第一离子。

3.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述栅氧区的形成过程中，采用热氧化法形成所述U型栅氧。

4.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述栅氧区的形成过程中，所述栅电极为堆栈结构。

5.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述隔离阱的形成方法为离子注入技术，注入第二离子。

6.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述源极区的形成方法为离子注入技术，注入第一离子。

7.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法为等离子刻蚀技术。

8.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述隔离侧墙的形成方法为回刻蚀技术。

9.根据权利要求1所述的UMOS的形成方法，其特征在于，所述漏极区的形成方法为离子注入技术，注入第一离子。

10.一种UMOS，其特征在于，包括，包含掺杂层和基底层的半导体衬底；位于掺杂层的栅极区，所述栅极区包括U形栅氧和栅电极；位于栅极区两侧的隔离阱；位于隔离阱内并位于栅极区两侧的源极区；位于基底层的漏极区，所述漏极区位于栅极区两侧；位于漏极区上并贯穿掺杂层的导电插塞，所述导电插塞包括隔离侧墙和导电电极。

11.根据权利要求10所述的UMOS，其特征在于，所述掺杂层包括采用离子注入技术注入的第一离子。

12.根据权利要求10所述的UMOS，其特征在于，所述栅电极为堆栈结构。

13.根据权利要求10所述的UMOS，其特征在于，所述隔离阱包括采用离子注入技术注入的第二离子。

14.根据权利要求10所述的UMOS，其特征在于，所述源极区包括采用离子注入技术注入的第一离子。

15.根据权利要求10所述的UMOS，其特征在于，所述隔离侧墙是单一的覆层或者是由多层覆层所形成的堆栈结构。

16.根据权利要求10所述的UMOS，其特征在于，所述漏极区包括采用离子注入技术注入的第一离子。