[发明专利]能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法有效
| 申请号： | 200910046834.5 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101494272A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;周健华;张楠;陈诚;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led gan 表面 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于包括步骤：
1)在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂且呈尖锥状的粗化GaN层；
2)采用离子干法刻蚀中的ICP刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面的尖锥形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化。
2.如权利要求1所述的能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于：在所述半导体衬底上生长各层为连续性生长。
3.如权利要求1或2所述的能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于：所述生长采用金属有机物化学气相沉积法进行。
4.如权利要求1所述的能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料为硅及SiC中的一种。
5.一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于包括步骤：
1)在蓝宝石衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂且呈尖锥状的粗化GaN层；
2)采用离子干法刻蚀中的ICP刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面的尖锥形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化。
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