[发明专利]半导体元器件的干蚀刻方法有效
| 申请号： | 200910046887.7 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826460A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元器件 蚀刻 方法 | ||
1.一种半导体元器件的干蚀刻方法，其特征在于，该方法包括：
在硅基底材料上依次形成SiO2层、低介电常数绝缘材料层、顶层、含Si 的底部抗反射层和光阻层；
对光阻层和含Si的底部抗反射层进行蚀刻后，对顶层和低介电常数绝缘 材料层进行蚀刻，并去除蚀刻过程中产生的残留物；
对由于对顶层和低介电常数绝缘材料层进行蚀刻后而暴露出的顶层进行 氟气处理，使得在对顶层进行蚀刻的同时不对顶层之下的低介电常数材料进行 蚀刻；
去除对顶层进行蚀刻时所产生的残留物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
在对顶层进行氟气处理时，所使用的源功率为800～1500瓦，所使用的偏 转功率为零。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
在对顶层进行氟气处理时，所使用的源功率为1000瓦。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
在对顶层进行氟气处理时，使用一氧化碳或氮气作为稀释气体。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
当使用一氧化碳作为稀释气体时，所述一氧化碳的流量为300～400标准毫 升/分钟。
6.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于：
在对顶层进行氟气处理时，使用CF4或CHF3作为蚀刻气体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
当使用CF4作为蚀刻气体时，所述CF4的流量为50～80标准毫升/分钟。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
当使用CF4作为蚀刻气体时，所述CF4的流量为60标准毫升/分钟。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
当使用一氧化碳作为稀释气体，并使用CF4作为蚀刻气体时，CF4与一氧 化碳的流量的比值小于0.2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
