[发明专利]控制侧墙形成的方法无效
| 申请号： | 200910046891.3 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826461A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 丁钟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 形成 方法 | ||
1.一种控制侧墙形成的方法，其特征在于，包括：
刻蚀前，测量刻蚀结构，对刻蚀结构进行刻蚀，并测量刻蚀后的结构；
比较刻蚀前后的特征参数，获取刻蚀参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用光学线宽测量技术测量所述刻蚀结构和刻蚀后的结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀结构中包括有氧化的氮化氧化硅ONO结构。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述测量刻蚀结构得到的特征参数包括ONO结构中第一氧化硅层的侧面宽度，ONO结构中第一氮化硅层的侧面宽度。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述测量刻蚀后的结构得到的特征参数包括刻蚀ONO结构后得到的侧墙的侧面宽度，衬层氧化硅层残留物的侧面宽度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取刻蚀参数的方法为：
刻蚀参数EtchParameter＝((PreThk-DataTarget-Bvalue)*STEP_BIAS)/LossRate，其中，LossRate＝(PreThk-PostThk-ModifiedValue)*coefficient/EtchParameter；
PreThk为刻蚀前测量得到的某特征参数，PostThk为刻蚀后测量得到的对应特征参数，DataTarget为目标特征参数；Bvalue为修正经验值，STEP_BIAS为系数，LossRate为刻蚀率范围；ModifiedValue为修正经验值，coefficient为系数。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取刻蚀参数的方法为：
刻蚀参数EtchParameter＝((DataTarget-Bvalue)*STEP_BIAS)/LossRate，其中，LossRate＝(PreThk-PostThk-ModifiedValue)*coefficient/EtchParameter；
PreThk为刻蚀前测量得到的某特征参数，PostThk为刻蚀后测量得到的对应特征参数，DataTarget为目标特征参数；Bvalue为修正经验值，STEP_BIAS为系数，LossRate为刻蚀率范围；ModifiedValue为修正经验值，coefficient为系数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
