[发明专利]顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法

权利要求书

1.一种顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法，其特征在于，该方法使用氯气蚀刻去除顶层金属介质层沟槽内的抗反射涂层。

2.根据权利要求1所述的去除抗反射涂层的方法，其特征在于，所述氯气的流量为100～200标况毫升每分。

3.根据权利要求1所述的去除抗反射涂层的方法，其特征在于，所述氯气蚀刻处理温度为55℃～65℃。

4.根据权利要求1所述的去除抗反射涂层的方法，其特征在于，所述氯气蚀刻处理时间为160s～200s。

5.根据权利要求1所述的去除抗反射涂层的方法，其特征在于，所述顶层金属介质层为氟硅玻璃。

6.一种顶层金属介质层沟槽制造方法，其步骤为：提供经过浅沟道隔离处理的器件，所述器件在半导体衬底上沉积有阻挡层，并在所述阻挡层上形成有顶层金属介质层层，其中顶层金属介质层层中间具有蚀刻停止层，同时顶层金属介质层层形成有沟槽，而顶层金属介质层层上沉积有钝化层；接着在沟槽以及钝化层上涂覆抗反射涂层；之后进行抗反射涂层的回蚀刻，去除钝化层上的抗反射涂层，并将沟槽内部的抗反射涂层降低至一定高度；然后利用钝化层上的光阻进行曝光显影；再进行顶层金属介质层蚀刻去除未被光阻遮蔽以及中间阻挡层上方的钝化层、顶层金属介质层层以及抗反射涂层；去除光阻并进行湿法清洗处理器件；最后进行顶层金属介质层蚀刻的线性去除处理，除去沟槽部分的抗反射涂层以及阻挡层，其特征在于顶层金属介质层蚀刻中使用氯气蚀刻去除顶层金属介质层沟槽内的抗反射涂层。

7.根据权利要求6所述的顶层金属介质层沟槽制造方法，其特征在于，所述氯气的流量为100～200标况毫升每分。

8.根据权利要求6所述的顶层金属介质层沟槽制造方法，其特征在于，所述氯气蚀刻处理温度为55℃～65℃。

9.根据权利要求6所述的顶层金属介质层沟槽制造方法，其特征在于，所述氯气蚀刻处理时间为160s～200s。

10.根据权利要求6所述的顶层金属介质层沟槽制造方法，其特征在于，所述阻挡层和蚀刻停止层为氮化硅层。

11.根据权利要求6所述的顶层金属介质层沟槽制造方法，其特征在于，所述顶层金属介质层层为氟硅玻璃层。

12.根据权利要求6所述的顶层金属介质层沟槽制造方法，其特征在于，所述钝化层为氮氧化硅层。