[发明专利]形成沟槽及双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 200910049282.3 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866845A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 镶嵌 结构 方法 | ||
1.一种形成沟槽的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供依次形成有氮碳化硅层、碳氧化硅层、正硅酸乙酯层、抗反射层低温氧化层及图案化光刻胶层的半导体衬底，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；
以图案化光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层；
继续以案化光刻胶层为掩膜采用第二刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层，形成器件密集区和器件非密集区深度一致的沟槽。
2.根据权利要求1所述形成沟槽的方法，其特征在于，所述第一刻蚀条件采用的气体为CF4。
3.根据权利要求2所述形成沟槽的方法，其特征在于，所述第一刻蚀条件中CF4的流量为380sccm～420sccm，所需压强为45毫托～55毫托，在高频波为13.6MHz时功率为1400W～1600W，自偏压为120V～170V，通入CF4的时间为30秒～40秒。
4.根据权利要求2所述形成沟槽的方法，其特征在于，所述第一刻蚀条件中CF4的流量为380sccm～420sccm，所需压强为45毫托～55毫托，在高频波为2MHz时功率为1400W～1600W，自偏压为80V～120V，通入CF4的时间为30秒～40秒。
5.根据权利要求1所述形成沟槽的方法，其特征在于，所述第二刻蚀条件采用的气体为CF4、Ar和N2的混合气体。
6.根据权利要求5所述形成沟槽的方法，其特征在于，所述第1刻蚀条件中CF4的流量为80sccm～120sccm，Ar的流量为180sccm～220sccm，N2的流量为50sccm～70sccm，所需压强为80毫托～120毫托，在高频波为13.6MHz时自偏压为250V～350V，通入混合气体的时间为30秒～40秒。
7.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供依次形成有金属层、氮碳化硅层、碳氧化硅层、正硅酸乙酯层有半导体衬底，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；
刻蚀正硅酸乙酯、碳氧化硅层至露出氮碳化硅层，形成接触孔；
在接触孔内以及正硅酸乙酯层上依次形成抗反射层和低温氧化层；
采用第一刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层；
采用第二刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层，形成器件密集区和器件非密集区深度一致的沟槽；
刻蚀接触孔内的氮碳化硅层至露出金属层，形成双镶嵌结构。
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