[发明专利]光刻胶涂覆方法无效
| 申请号： | 200910049796.9 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101592866A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 于世瑞;李黎明;王健鹏;陈蕾 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 胶涂覆 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在晶片上光刻胶的涂覆方法，其特征是，包括以下步骤：
在晶片上涂覆第一层光刻胶；
对该第一层光刻胶进行烘烤定型；
在已经烘烤定型的第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；
对该第二层光刻胶进行烘烤定型。
2.根据权利要求1所述的在晶片上光刻胶的涂覆方法，还包括在涂覆该光刻胶之后，对该晶片进行曝光。
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