[发明专利]光刻胶涂覆方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻工艺流程，更涉及一种光刻胶涂覆方法。

背景技术

目前在晶片制作的光刻工艺流程中，如图1所示，会使用光刻胶(photo resist)1涂覆在晶片(wafer)2的特定区域，并进行烘烤定型，在后续工艺中对这一特定区域进行保护，对没有光刻胶1涂覆的区域进行曝光、刻蚀，从而在晶片2上形成有效图形窗口或功能图形。

光刻胶1是用涂胶机滴到晶片2上，旋转晶片2使光刻胶1涂布均匀的。这种工艺用在表面很平坦的晶片2上，基本能满足要求。然而，若是晶片2表面不平整，即晶片2上有凸点，涂覆光刻胶1之后，如图2所示，晶片2上凸点3所涂覆的光刻胶1则会较其他部位薄，即使经过烘烤定型，在后续的工艺中，也有可能不能很好地保护位于其下方区域的晶片2，让其遭到曝光和蚀刻损害，所形成的图形也会造成误差。

发明内容

本发明提出一种光刻胶涂覆方法能够解决上述问题。

为了达到上述目的，本发明提出一种在晶片上光刻胶的涂覆方法，包括以下步骤：

在晶片上涂覆第一层光刻胶；

对该第一层光刻胶进行烘烤定型；

在已经烘烤定型的第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；

对该第二层光刻胶进行烘烤定型。

可选的，在光刻胶涂覆流程之后，对晶片进行曝光。

利用本发明提供的涂覆方法，能够在光刻胶的厚度不变的前提下，将晶片凸点部分的光刻胶厚度增加，在后续的工艺中，光刻胶能够更好地保护其下方的镜片部分。

附图说明

图1所示为平整晶片上涂覆光刻胶的示意图；

图2所示为目前技术中在具有凸点的晶片上涂覆光刻胶的示意图；

图3所示为本发明较佳实施例中在晶片上涂覆光刻胶的示意图；

具体实施方式

为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

图2中所示为先前技术中，仅涂覆一层光刻胶的示意图。

晶片2上具有凸点3，在曝光之前，涂覆一层光刻胶1在晶片2上，光刻胶1具有一定的图案，露出晶片2上待刻蚀部位4，再对光刻胶1进行烘烤定型后，对整个晶片2进行曝光。图2中所示的光刻胶1在平坦的晶片2上厚度为h，在这种工艺流程下，凸点3部位的光刻胶厚度为h1。

这种工艺下，凸点3部位的光刻胶1是比较薄的，很难在后续的工艺中对凸点3部位的材料进行保护，让该部位的材料不被刻蚀到。

本实施例所揭露的工艺，如图3所示，首先，在晶片2上涂覆第一层光刻胶1a，这一层光刻胶的厚度不大于预设的光刻胶的厚度h；其次，对这第一层光刻胶1a进行烘烤定型；再次，在已经烘烤定型的第一层光刻胶1a上涂覆第二层光刻胶1b，并对这一层的光刻胶进行烘烤定型，完成光刻胶的涂覆流程。

第一层光刻胶1a的厚度不大于预设的光刻胶的厚度h，是为了留出涂覆的空间给第二层光刻胶1b，让第一层光刻胶1a和第二层光刻胶1b的总厚度与预设的厚度h相同，不影响后续的工艺。

在涂覆第一层光刻胶1a、对第一层光刻胶1a进行烘烤定型之后，位于凸点上方的光刻胶的厚度比图2中所示的凸点3上方光刻胶的厚度h1小。

然而，由于第一层光刻胶1a的厚度在烘烤之后已经定型，不会在涂覆第二层光刻胶1b的时候由于重力原因滑移到晶片2的平整部分，因此对第二层光刻胶1b进行烘烤定型之后，第一层和第二层光刻胶在凸点部分的总厚度h2会大于图2中所示的凸点3部分的光刻胶厚度h1，以在后续的工艺中，能够相较于先前技术对凸点3部分提供更好的保护作用。

当然，本领域的技术人员，能够在本发明的基础上轻易地想到，若涂覆更多层的光刻胶，能达到更好的效果。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。