[发明专利]导电插塞的形成方法

权利要求书

1.一种导电插塞的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有MOS晶体管，所述MOS晶体管包括：位于衬底内的源极区、漏极区；所述衬底上还形成有层间介质层；

刻蚀层间介质层形成暴露出衬底的接触孔，所述接触孔位置与源极区或者漏极区对应；

其特征在于，还包括：

在所述接触孔侧壁形成侧墙；

沿形成有侧墙的接触孔向衬底进行离子注入，形成高掺杂区；

去除侧墙；

对所述高掺杂区退火；

采用导电物质填充接触孔。

2.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，所述在接触孔侧壁形成侧墙工艺包括在接触孔底部和侧壁以及层间介质层表面沉积侧墙层以及刻蚀所述侧墙层形成侧墙的步骤。

3.如权利要求2所述的导电插塞的形成方法，所述侧墙层为聚合物，沉积所述侧墙层在刻蚀所述侧墙层的刻蚀设备中进行。

4.如权利要求3所述的导电插塞的形成方法，所述刻蚀设备为电感耦合等离子刻蚀设备。

5.如权利要求4所述的导电插塞的形成方法，沉积所述侧墙层的反应气体选自C₄F₆、C₃F₈、CH₂F₂以及CO中的一种或者多种。

6.如权利要求4所述的导电插塞的形成方法，刻蚀所述侧墙层形成侧墙的反应气体选自CO、N₂以及He中的一种或者多种。

7.如权利要求4所述的导电插塞的形成方法，所述刻蚀为等离子体刻蚀。

8.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，所述高掺杂区退火工艺为管式炉退火或者快速退火，退火温度范围是700度至1250度。

9.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，所述的MOS晶体管为NMOS，注入的离子为P离子、As离子或者Sb离子。

10.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，所述的MOS晶体管为PMOS，所述离子注入为B离子或者In离子。