[发明专利]一种晶圆蚀刻工艺中的显影方法

权利要求书

1.一种晶圆蚀刻工艺中的显影方法，其特征在于，包括：

在带有半导体器件结构的晶圆上形成待蚀刻层；

在待蚀刻层上形成光阻层；

在光阻层上形成抗反射层；

对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。

2.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述抗反射层为透明的有机材料。

3.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述形成光阻层和形成抗反射层之后进行冷却机台处理。

4.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述冷却机台处理温度为20摄氏度～25摄氏度，时间为大于等于40秒。

5.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述形成抗反射层的步骤包括：

在光阻层上喷涂抗反射层；

对上述结构进行甩胶处理以得到均匀厚度的抗反射层。

6.根据权利要求5所述的显影方法，其特征在于，所述喷涂抗反射层的剂量为4毫升～7毫升。

7.根据权利要求5所述的显影方法，其特征在于，所述甩胶处理的转速为750转/分～3500转/分。