[发明专利]一种静电破坏保护电路无效
申请号: | 200910051941.7 | 申请日: | 2009-05-25 |
公开(公告)号: | CN101707362A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 刘连杰;王磊 | 申请(专利权)人: | 彩优微电子(昆山)有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H01L23/60 |
代理公司: | 上海市光大律师事务所 31240 | 代理人: | 崔维;臧云霄 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 破坏 保护 电路 | ||
1.一种静电破坏保护电路,其包括:
-一个输入端(1)和一个输出端(2);
-若干级静电电流防护架构(4),用于防护集成电路芯片内部线路,增强电路对静电破坏电流的防护能力;以及
-噪声屏蔽电路(3),所述噪声屏蔽电路(3)与所述输入端(1)及输出端(2)相连,用于抑制在受到静电破坏时的放电电流,并屏蔽输入信号中带有的噪声;
其特征在于,所述噪声屏蔽电路(3)包括感性装置,所述感性装置连接到所述静电电流防护架构(4)之间,提高噪声屏蔽电路(3)对输入信号中带有的高频噪声的屏蔽能力,并抑制在受到高频静电破坏时的放电电流。
2.根据权利要求1所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述噪声屏蔽电路(3)的感性装置包括一个电感。
3.根据权利要求1所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述噪声屏蔽电路(3)的感性装置包括相互串联的一个电阻和一个电感。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述静电破坏保护电路包括一级静电电流防护架构(4)。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述静电破坏保护电路包括两级及两级以上的静电电流防护架构(4)。
6.根据权利要求4或5所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述若干级静电电流防护架构设置在所述噪声屏蔽电路(3)的一侧。
7.根据权利要求5所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述若干级静电电流防护架构设置在所述噪声屏蔽电路(3)的两侧。
8.根据权利要求5所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述噪声屏蔽电路(3)包括多个感性装置,所述多级静电电流防护架构(4)与所述噪声屏蔽电路(3)的多个感性装置组合设置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述静电电流防护架构(4)包括两个二极管。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的静电破坏保护电路,其特征在于,所述静电电流防护架构(4)包括一个P型晶体管和一个N型晶体管。
11.一种在改进的静电破坏保护电路中用于抑制受到高频静电破坏时的放电电流,在不影响提高静电破坏保护电路中低频段的阻抗的情况下提高噪声屏蔽电路(3)对输入信号中带有的高频噪声的屏蔽能力的控制方法,其中所述静电破坏保护电路包括若干级静电电流防护架构(4)以及噪声屏蔽电路(3),其中所述控制方法包括如下步骤:
步骤a.所述静电电流防护架构(4)泄放静电破坏电流;
步骤b.所述噪声屏蔽电路(3)抑制输入信号中带有的噪声;
其特征在于,所述噪声屏蔽电路(3)加强对传输的输入信号中带有的高频噪声进行抑制。
12.根据权利要求11所述的控制方法,其特征在于,所述控制方法先执行步骤b,再执行步骤a。
13.根据权利要求11或12所述的控制方法,其特征在于,所述控制方法可以多次组合执行.
14.一种集成电路,包括电源引脚、内部电路,其特征在于,还包括根据权利要求1至10中任一项所述的静电破坏保护电路。
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