[发明专利]功率MOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种功率MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在硅衬底中形成漏极区及外延层；

在所述外延层中形成沟槽；

依次在所述硅衬底顶表面及所述沟槽中沉积第一及第二氧化层；

去除所述硅衬底顶表面及所述沟槽侧壁上的氧化层，在所述沟槽底部形成 较厚的底氧化层；

在所述沟槽中生长栅氧化层；

在所述沟槽中成长多晶硅，通过平坦化或回刻，形成栅极；

其中，去除所述硅衬底顶表面及所述沟槽侧壁上的氧化层，具体包括以下 步骤：

在所述硅衬底顶表面及所述沟槽中涂覆光刻胶；

刻蚀去除所述硅衬底顶表面的所述光刻胶及第二氧化层；

去除所述沟槽中的所述光刻胶；

刻蚀去除所述硅衬底顶表面的所述第一氧化层。

2.根据权利要求1所述的功率MOS晶体管的制造方法，其特征在于，通过 高密度等离子沉积形成所述第二氧化层。