[发明专利]用于测量栅介质层的电学厚度的接触焊盘及其测量结构

权利要求书

1.一种接触焊盘，用于测量半导体衬底上形成的栅介质层的电学厚度，包括顶层焊盘金属层和底层焊盘金属层，底层焊盘金属层通过第一金属栓塞与栅电极连接；其特征在于，所述底层焊盘金属层的面积等于或者小于所述栅电极的面积；顶层焊盘金属层和底层焊盘金属层之间通过互连金属层和第二金属栓塞连接，所述互连金属层的面积小于顶层焊盘金属层的面积。

2.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述半导体衬底为P型衬底。

3.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述互连金属层的面积是第二金属栓塞在平行于半导体衬底表面方向的截面积的两到三倍。

4.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述接触焊盘还包括底层焊盘金属层与半导体衬底之间的层间电介质层。

5.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述接触焊盘还包括底层焊盘金属层与顶层焊盘金属层之间的金属层间介质层。

6.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述栅电极为多晶硅栅电极或者金属栅电极。

7.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述互连金属层为两层或两层以上，每层互连金属层的面积相等。

8.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述第一金属栓塞为钨栓塞。

9.根据权利要求1所述的接触焊盘，其特征在于，所述第二金属栓塞为钨栓塞或者铜栓塞。

10.一种测量结构，用于测量栅介质层的电学厚度，包括：

半导体衬底，

形成于半导体衬底之上的栅介质层，

形成与栅介质层之上的栅电极，

用于从半导体衬底引出电极的第二接触焊盘，

以及第一接触焊盘；

所述第一接触焊盘包括顶层焊盘金属层和底层焊盘金属层，底层焊盘金属层通过第一金属栓塞与栅电极连接；其特征在于，所述底层焊盘金属层的面积等于或者小于所述栅电极的面积；顶层焊盘金属层和底层焊盘金属层之间通过互连金属层和第二金属栓塞连接，所述互连金属层的面积小于顶层焊盘金属层的面积。

11.根据权利要求10所述的测量结构，其特征在于，所述半导体衬底为P型衬底，在所述半导体衬底中形成MOS有源器件。

12.根据权利要求10所述的测量结构，其特征在于，所述第二接触焊盘通过金属栓塞与半导体衬底的高掺杂P型区域形成欧姆接触。