[发明专利]硼酸钆锂晶体的晶体生长方法无效
| 申请号： | 200910054212.7 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101597796A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硼酸 晶体 晶体生长 方法 | ||
1.一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所 述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长 时，选用上半部分为圆柱体形且直径相同，下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为 生长坩埚；所述晶体生长原料由包括下列步骤的方法制得：
A.按配比称量各种原料后混合配料；
B.晶体生长原料的合成；
所述步骤A中的原料包括含Li元素原料、含B元素原料、含Gd元素原料和含Ce元 素原料；所述含Li元素原料选自Li2CO3或LiOH中的一种或多种；所述含B元素原料选自 H3BO3或B2O3中的一种或多种；所述含Gd元素原料为Gd2O3；所述含Ce元素原料选自 CeO2或Ce(NO3)3中的一种或多种；所述含B元素原料的重量过量1～5％。
2.如权利要求1所述硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，其特征在于，所述晶体生长原料 的合成步骤为：将混合均匀的配合料压成料块，升温到440～460℃，烧结9～11小时后，降 温；取出后研磨，再次压成料块，升温至650～750℃，烧结9～11小时。
3.如权利要求1所述硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，其特征在于，采用提拉法生长时， 晶体生长温度为800～865℃，晶体生长时转速为1～10rpm，拉速为0.1～2mm/h，降温速率为 0.4～0.8℃/h。
4.如权利要求1所述硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，其特征在于，采用提拉法生长时， 晶体生长气氛为：空气、氮气、氩气、含氧1～10at.％的氮气或含氧1～10at.％的氩气；晶体 生长籽晶为铂金丝或硼酸钆锂单晶籽晶。
5.如权利要求1所述硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，其特征在于，所述异型坩埚为铱 金或铂金坩埚。
6.如权利要求1所述硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，其特征在于，所述异型坩埚口设 有铱金或铂金金属环作为后加热装置。
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