[发明专利]深沟槽超级PN结结构及其形成方法

权利要求书

1.一种深沟槽超级PN结结构，其特征在于，包括：

沉积在衬底上的单一厚外延层；

形成在所述单一厚外延层中的深沟槽，所述深沟槽的特征尺寸为0.4微米-6微米，深度为10微米-80微米，角度为80度-90度；

形成在所述深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，所述超级PN结为重掺杂的多晶硅；

填充在所述深沟槽中的氧化层。

2.如权利要求1所述的深沟槽超级PN结结构，其特征在于，

所述超级PN结的结深为0.2微米-8微米。

3.如权利要求2所述的深沟槽超级PN结结构，其特征在于，

所述衬底为N+或P+衬底；

所述重掺杂的多晶硅为重掺杂的P型或N型多晶硅，沉积的厚度为微米，且在1000℃-1200℃的温度下进行推进。

4.一种深沟槽超级PN结的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底上沉积单一厚外延层；

在所述单一厚外延层中形成的深沟槽，所述深沟槽的特征尺寸为0.4微米-6微米，深度为10微米-80微米，角度为80度-90度；

在所述深沟槽中沿深沟槽方向推进重掺杂的多晶硅形成超级PN结；

在所述深沟槽中填充氧化层。

5.如权利要求4所述的深沟槽超级PN结的形成方法，其特征在于，

所述超级PN结的结深为0.2微米-8微米。

6.如权利要求4所述的深沟槽超级PN结的形成方法，其特征在于，在衬底上沉积单一厚外延层包括：

在N+或P+衬底上沉积单一厚外延层；

7.如权利要求4所述的深沟槽超级PN结的形成方法，其特征在于，在所述单一厚外延层中形成的深沟槽包括：

生长热氧化层；

沉积氮化硅；

沉积等离子体增强氧化层；

光刻、刻蚀以上三层至所述衬底；

去胶，并以以上三层作为硬掩模刻蚀深沟槽，并湿法腐蚀掉氮化硅表面剩余的等离子体增强氧化层。

8.如权利要求4所述的深沟槽超级PN结的形成方法，其特征在于，在所述深沟槽中沿深沟槽方向推进重掺杂的多晶硅形成超级PN结包括：

在所述深沟槽中沉积的重掺杂的P型或N型多晶硅；

在1150℃下推进200分钟，形成沿着深沟槽方向结深；

将的重掺杂的P型或N型多晶硅完全氧化。

9.如权利要求4所述的深沟槽超级PN结的形成方法，其特征在于，在所述深沟槽中填充氧化层包括：

在深沟槽中填充氧化层并致密化；

通过化学机械研磨，以氮化硅为化学机械研磨的终止层，研磨掉氮化硅上面的氧化层；

通过热磷酸将氮化硅全剥；

用氢氟酸将硅表面的热氧化层去掉。