[发明专利]铝线形成方法有效
| 申请号： | 200910054798.7 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101958272A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 孙长勇;楼丰瑞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线形 成方 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝线形成方法，包括：提供一基底，在该基底上沉积铝金属层；在铝金属层上旋涂光刻胶PR；对PR曝光、显影，形成PR图形，以所述PR为掩膜，进行干法蚀刻，所述干法蚀刻包括主蚀刻工序和过蚀刻工序，其特征在于，主蚀刻工序中蚀刻装置的偏置功率被调整至能使PR将聚合物粘贴在石英改板上的功率；过蚀刻工序中蚀刻装置的转换耦合功率和偏置功率分别被调整至能使PR将聚合物粘贴在石英改板上的功率，所述石英改板为在蚀刻装置中隔离电感线圈与晶圆的绝缘板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在主蚀刻工序中，所述转换耦合功率为720W～880W，所述偏置功率为315W～385W；
且，在过蚀刻工序中，所述转换耦合功率为720W～880W，所述偏置功率为315W～385W。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：所述主蚀刻工序的蚀刻气体中三氟甲烷CHF3的流量为零，且所述过蚀刻工序的蚀刻气体中CHF3的流量为零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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