[发明专利]铝线形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种铝线形成方法。

背景技术

随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展，半导体的制造流程涉及铝线形成工艺。图1为现有技术中铝线形成方法的流程图，如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤101，提供一基底，采用物理气相沉积(PVD)工艺在该基底上沉积铝金属层。

步骤102，在铝金属层上旋涂光刻胶(PR)。

步骤103，对PR曝光、显影，从而在PR上呈现出用于形成铝线的掩膜版图案。

步骤104，采用干法蚀刻的方法在铝金属层上形成铝线。

干法蚀刻是使蚀刻气体与金属铝发生化学或物理反应，从而在铝金属层上按照掩膜版图案形成铝线，同时，蚀刻气体还可对铝金属层表面的PR进行剥离。

在实际应用中，干法蚀刻又被分为两个工序：主蚀刻和过蚀刻，对于相邻铝线之间的金属来说，距离铝线边沿越远的金属被蚀刻的速率越快，也就是说，相邻铝线之间的金属的中间部分比金属的两边部分蚀刻速率快，为了保证距离铝线边沿较近的金属也能被充分地蚀刻，因此在主蚀刻工序之后还需执行过蚀刻在工序，但需要说明的是，主蚀刻和过蚀刻所采用的装置是完全相同的，都采用的是干法蚀刻装置，只是蚀刻时所采用的参数有区别，而且在主蚀刻和过蚀刻的过程中蚀刻气体对PR都有剥离，下面结合干法蚀刻的装置对主蚀刻和过蚀刻在实际应用中的参数进行介绍。

图2为现有技术中干法蚀刻装置的剖面结构图。如图2所示，通过转换耦合功率发生器201在电感线圈202上施加转换耦合功率，从而在电感线圈202的周围产生电磁场，当对铝线进行主蚀刻时，转换耦合功率一般为720W～880W，当对铝线进行过蚀刻时，转换耦合功率一般为405W～495W；然后蚀刻气体从进气口203被通入上部腔体204中，当对铝线进行主蚀刻时，蚀刻气体为氯化硼(BCl₃)、三氟甲烷(CHF₃)和氯气(Cl₂)的混合气体，其中，BCl₃的流量为81sccm～99sccm，CHF₃的流量为36sccm～44sccm，Cl₂的流量为182sccm～198sccm，当对铝线进行过蚀刻时，蚀刻气体为BCl₃和Cl₂的混合气体，且BCl₃和Cl₂的流量均与主蚀刻工序中的流量相同；蚀刻气体在电磁场的作用下发生电离并形成等离子体，石英改板205将电感线圈202与放置于静电吸盘206上的晶圆W隔离开，由于石英改板205为一绝缘板，这样就可减弱电磁场对晶圆W的影响，石英改板205还包括若干个圆孔，用于使等离子体中的离化基进入下部腔体207；同时，通过偏置功率发生器208在晶圆W上施加偏置功率，这样就使得晶圆W与等离子体之间存在一个较大的电压差，从而使超晶圆W运动的离化基具有方向性，当对铝线进行主蚀刻时，偏置功率一般为108W～132W，当对铝线进行过蚀刻时，偏置功率一般为99W～121W。

然而，在上述步骤104中，当对铝线进行主蚀刻和过蚀刻时，蚀刻气体与金属铝发生化学反应而生成的聚会物会逐渐沉积在石英改板上，随着后续蚀刻的进行，沉积在石英改板上的聚合物由于重力的作用很容易掉落到正在蚀刻的铝线上，降低了铝线的良率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铝线形成方法，能够提高铝线的良率。

为达到上述目的，本发明的技术方案具体是这样实现的：

一种铝线形成方法，包括：提供一基底，在该基底上沉积铝金属层；在铝金属层上旋涂光刻胶PR；对PR曝光、显影，形成PR图形，以所述PR为掩膜，进行干法蚀刻，所述干法蚀刻包括主蚀刻工序和过蚀刻工序，主蚀刻工序中蚀刻装置的偏置功率被调整至能使PR将聚合物粘贴在石英改板上的功率；过蚀刻工序中蚀刻装置的转换耦合功率和偏置功率分别被调整至能使PR将聚合物粘贴在石英改板上的功率，所述石英改板为在蚀刻装置中隔离电感线圈与晶圆的绝缘板。

在主蚀刻工序中，所述转换耦合功率为720W～880W，所述偏置功率为315W～385W；

且，在过蚀刻工序中，所述转换耦合功率为720W～880W，所述偏置功率为315W～385W。

该方法进一步包括：所述主蚀刻工序的蚀刻气体中三氟甲烷CHF₃的流量为零，且所述过蚀刻工序的蚀刻气体中CHF₃的流量为零。