[发明专利]在晶圆上形成互连通孔失败的补救方法有效
| 申请号： | 200910054933.8 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958276A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘致云;邹胜;王春华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆上 形成 互连 失败 补救 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在晶圆上形成互连通孔失败的补救方法，其中所述晶圆包括：衬底，以及所述衬底上形成有第一通孔的第一介质层，其特征在于，包括以下步骤：
通过化学机械研磨去掉部分刻蚀失败的第一通孔及其相应部分的介质层；
在剩余的介质层上淀积介质物，并填充剩余部分第一通孔，形成第二介质层，且所述淀积介质物的厚度不小于去掉的介质层的厚度；
刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层中形成第二通孔。
2.根据权利要求1所述的补救方法，其特征在于，研磨去掉的部分刻蚀失败的第一通孔的深度占第一通孔总深度的60％～80％。
3.根据权利要求1所述的补救方法，其特征在于，所述补救方法还包括：化学机械研磨抛光所述第二介质层。
4.根据权利要求1所述的补救方法，其特征在于，所述第一及第二介质层均为氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的补救方法，其特征在于，所述第一及第二介质层厚度均大于
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
