[发明专利]高压ESD保护电路无效
| 申请号： | 200910055051.3 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101958537A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 肖国庆;李茂登 | 申请（专利权）人： | 上海沙丘微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 沈原 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 esd 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压ESD保护电路，包括电源端口、NMOS放电管、ESD检测电阻和下拉电阻，NMOS放电管的漏极连接电源端口、ESD检测电阻，其特征在于：一个NMOS上拉管的漏极和源极分别连接所述NMOS放电管的漏极和栅极，所述NMOS上拉管的栅极连接所述下拉电阻后接地。
2.根据权利要求1所述高压ESD保护电路，其特征在于NMOS放电管的栅极连接一个电压钳制电路后接地。
3.根据权利要求1或2所述高压ESD保护电路，其特征在于NMOS放电管的栅极连接一个下拉电路后接地。
4.根据权利要求3所述高压ESD保护电路，其特征在于所述下拉电路为电压反相电路。
5.根据权利要求3所述高压ESD保护电路，其特征在于所述下拉电路为下拉电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海沙丘微电子有限公司，未经上海沙丘微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910055051.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
