[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 200910055194.4 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101656272A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种肖特基二极管，包括：
第一导电类型的半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上表层的第二导电类型第一掺杂区；
形成于所述半导体衬底表面、并覆盖至少一部分所述第一掺杂区的、用于形成肖特基结的金属电极；
以及用于引出半导体衬底电极的第二导电类型第二掺杂区；
用于将肖特基结与所述半导体衬底隔离的、相邻形成于所述第一掺杂区大致正下方的第二导电类型第三掺杂区，且所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度，并小于所述第二掺杂区的掺杂浓度；
其特征在于，所述第二导电类型第一掺杂区通过所述第三掺杂区的杂质扩散自对准同步形成。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二导电类型第二掺杂区与所述第一掺杂区和所述第三掺杂区均相邻接触。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
5.一种如权利要求1所述肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供第一导电类型的半导体衬底；
(2)构图掺杂形成位于所述半导体衬底中的第二导电类型第三掺杂区，用于将肖特基结与半导体衬底隔离，同时通过第三掺杂区的杂质扩散自对准同步形成位于半导体衬底上表层的、第二导电类型第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第三掺杂区的掺杂浓度；
(3)构图掺杂形成位于所述半导体衬底上表层的第二导电类型第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区和所述第三掺杂区均相邻接触，用于引出半导体衬底电极，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度；
(4)在所述半导体衬底表面构图形成覆盖至少一部分所述第一掺杂区的肖特基金属电极。
6.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第三掺杂区的掺杂为第二导电类型的深离子注入，其离子注入能量范围为500KeV-2MeV。
7.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区位于所述第三掺杂区大致正上方，并与所述第三掺杂区相邻接触。
8.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第三掺杂区的形成，与其他位于半导体衬底中的第二导电类型掺杂区的形成同时进行。
9.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述肖特基金属电极可先于所述第二掺杂区构图形成。
10.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
11.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
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