[发明专利]检测半导体器件的大马士革结构的方法

权利要求书

1.一种检测半导体器件的大马士革结构的方法，包括：

在大马士革结构上依次沉积液态有机物保护层及金属铂层后，放置在聚焦离子束FIB机台上切割得到样品；

将样品放置在透射电子显微镜TEM下观测得到大马士革结构的铜种子层厚度及刻蚀形貌。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态有机物保护层的厚度为500纳米～700纳米。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述液态有机物保护层的有机物为：乙酸丙酯n-Propyl acetate、乙酸乙酯ethyl acetate或液态树脂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属铂层采用化学气相沉积CVD的方式以低于5电子伏特能量的离子沉积得到。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述金属铂层为40纳米～60纳米厚的金属铂层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放置在FIB机台上是在所述液态有机物保护层未出现空洞的时间内放置的。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法适用于小于20纳米乘以20纳米的大马士革结构检测。