[发明专利]薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法有效
| 申请号： | 200910055742.3 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101989631A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李卓谕 | 申请（专利权）人： | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L21/31;G02F1/133 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省吴江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 晶体 传感器 制作 氟硅氧 碳氢化合物 介电层 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管光传感器，其特征在于，包括：
一第一基板；
一栅极电极，设置于该第一基板上；
一栅极介电层，设置于该第一基板与该栅极电极上；
一半导体层，对应于该栅极电极设置于该栅极介电层上；
一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层与该栅极介电层上并分别对应设置于该栅极电极的两侧；
一氟硅氧碳氢化合物介电层，设置于该半导体层、该源极电极与该漏极电极上；以及
一透明保护层，设置于该氟硅氧碳氢化合物介电层上。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管光传感器，其特征在于，其中该氟硅氧碳氢化合物介电层的介电常数大体上介于2.0至2.4之间。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管光传感器，其特征在于，另包含一抗反射层，设置于该氟硅氧碳氢化合物介电层与该透明保护层之间。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管光传感器，其特征在于，其中该抗反射层包含氟硅氧碳氢化合物。
5.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
一凸块结构，设置于该第一基板上，其中该凸块结构包含氟硅氧碳氢化合物；以及
一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间。
6.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，其中氟硅氧碳氢化合物的介电常数大体上介于2.0至2.4之间。
7.一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法，其特征在于，包含下列步骤：
提供一基材；以及
进行一高密度化学气相沉积制程，以于该基材上形成一氟硅氧碳氢化合物介电层，其中该高密度化学气相沉积制程的通入制程气体包含三甲基硅甲烷、四氟化碳、氩气以及氧气。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，另包含于进行该高密度化学气相沉积制程之前，先对该基材进行一清洗步骤。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，另包含于进行该高密度化学气相沉积制程之后，再进行一退火加热步骤以修补晶格损伤。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，另包含于该退火加热步骤中通入氮气。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该氟硅氧碳氢化合物介电层的介电常数大体上介于2.0至2.4之间。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中该退火加热步骤退火温度大体上介于摄氏400至450度之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
