[发明专利]薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

说明书

技术领域

本发明关于一种薄膜晶体管光传感器、一种液晶显示面板以及一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法，尤指一种具低电阻电容负载薄膜晶体管光传感器，一种具低介电系数凸块结构液晶显示面板，以及一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法。

背景技术

液晶显示装置为达侦测显示面板周边环境光的强弱变化的目的，实务上常将薄膜晶体管光传感器局部设置于显示面板上，藉此侦测环境光结果以自动调整显示器背光源光强度。然而，现有技术薄膜晶体管光传感器介电层材料大多具有较差透光性，且目前用于制作介电层材料普遍具有较高介电系数，例如是二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)等。值得留意的是，薄膜晶体管光传感器一旦结合高介电系数介电层将会大幅提升传感器本身电阻电容负载(RC Loading)效应，进一步产生严重延迟电信号传递的缺点。也就是说，随着元件尺寸日渐缩小与金属导线密度升高的趋势，如何运用低介电系数介电层以降低信号传递延迟、降低功率耗损，以及避免信号彼此间干扰的研究便显得格外重要。有鉴于此，发展同时兼具低介电系数与高透光率特性的介电层，且将其成功运用到未来薄膜晶体管光传感器的制作乃是业界亟力发展的一重要目标。

另一方面，在习知广视角液晶显示器设计上，向来以多区域垂直排列技术为主流，不过值得关注的是，过去运用于多区域垂直排列的凸块结构本身普遍具有过大的介电系数。然而，若将此具有过大介电系数的凸块电极设置于显示器内必然干扰显示面板内的电力线分布并使其发生不预期的偏折现象，因而习知广视角液晶显示器严重时会因为显示面板内邻近的液晶分子彼此相交而呈现出黑纹影像。有鉴于上述缺点，发展具有低介电系数的凸块结构，以将其成功运用到多区域垂直排列技术上来解决黑纹影像缺点，乃是业界亟力发展的另一重要目标。

发明内容

本发明目的之一在于提供一种具低电阻电容负载薄膜晶体管光传感器、以解决现有技术薄膜晶体管光传感器结合高介电系数介电层将会大幅提升传感器本身电阻电容负载(RC Loading)效应，进一步产生严重延迟电信号传递的缺点。

本发明另一目的是提供一种具低介电系数凸块结构液晶显示面板，以解决现有采用大介电系数的凸块电极的液晶显示面板干扰显示面板内的电力线分布，并使其发生不预期的偏折现象的问题。

本发明再以目的是提供一种制作氟硅氧碳氢化合物的方法，以解决现有介电层介电系数的问题。

为达上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管光传感器。上述薄膜晶体管光传感器包括一第一基板、一栅极电极、一栅极介电层、一半导体层、一源极电极与一漏极电极、一氟硅氧碳氢化合物介电层，以及一透明保护层。栅极电极设置于第一基板上。半导体层对应于栅极电极设置于栅极介电层上。源极电极与漏极电极，设置于半导体层与栅极介电层上并分别对应设置于栅极电极两侧。氟硅氧碳氢化合物介电层设置于半导体层、源极电极与漏极电极上。透明保护层设置于氟硅氧碳氢化合物介电层上。

为达上述目的，本发明提供一种液晶显示面板。上述液晶显示面板包括一第一基板、一第二基板、一凸块结构，以及一液晶层。第二基板，与第一基板相对设置。凸块结构设置于第一基板上，其中凸块结构包含氟硅氧碳氢化合物。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。

为达上述目的，本发明另提供一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法。其中，制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法，包含下列步骤。提供一基材。进行一高密度化学气相沉积制程，以于基材上形成一氟硅氧碳氢化合物介电层，其中高密度化学气相沉积制程通入制程气体包含三甲基硅甲烷、四氟化碳、氩气以及氧气。

本发明薄膜晶体管光传感器与液晶显示面板乃藉由分别运用氟硅氧碳氢化合物介电层与包含氟硅氧碳氢化合物凸块结构，以形成一种具低电阻电容负载薄膜晶体管光传感器以及一种具低介电系数凸块结构液晶显示面板。其中，具低电阻电容负载薄膜晶体管光传感器能克服习知因电阻电容负载过大效应而造成信号失真及信号传递时间延迟风险。又，具低介电系数凸块结构的液晶显示面板能克服习知广视角液晶显示面板因凸块结构介电系数过大所呈现异常黑纹影像。此外，本发明制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法乃运用包含三甲基硅甲烷、四氟化碳、氩气以及氧气等制程气体，以进行薄膜沉积制程来形成具有低介电系数的氟硅氧碳氢化合物介电层。

附图说明

图1为本发明薄膜晶体管光传感器的较佳实施例示意图；

图2为本发明液晶显示面板的较佳实施例示意图；

图3为广视角液晶显示面板示意图；