[发明专利]提高湿法刻蚀性能的方法有效

专利信息
申请号: 200910055897.7 申请日: 2009-08-04
公开(公告)号: CN101625968A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 朱骏 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 郑 玮
地址: 201203上海市张江高科*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 提高 湿法 刻蚀 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种提高湿法刻蚀性能的方法,其特征在于包括以下步骤:

对衬底进行HMDS疏水处理,增强光刻胶通过抗反射涂层与衬底的粘附 力,从而抑制刻蚀液的侧向刻蚀;

在所述衬底上涂布所述抗反射涂层,所述抗反射涂层用于改进光刻法的 图案形成过程中形成的光刻胶图案的均匀性以及增强光刻胶底部和衬底的粘 附力;

在所述抗反射涂层上涂布一层光刻胶;

进行曝光、显影和刻蚀处理,去除部分所述光刻胶和抗反射涂层,使得 待刻蚀衬底暴露在外;

采用有机溶液去除剩余的光刻胶;

以剩余的部分抗反射涂层为掩蔽,对衬底进行湿法刻蚀处理。

2.根据权利要求1所述的提高湿法刻蚀性能的方法,其特征在于所述 HMDS疏水处理包括向衬底表面喷洒HMDS和烘烤。

3.根据权利要求2所述的提高湿法刻蚀性能的方法,其特征在于所述 HMDS疏水处理中的HMDS喷洒时间范围为0.1秒至100秒。

4.根据权利要求2所述的提高湿法刻蚀性能的方法,其特征在于所述 HMDS疏水处理中的烘烤温度范围为30度至150度。

5.根据权利要求2所述的提高湿法刻蚀性能的方法,其特征在于所述 HMDS疏水处理中的烘烤时间范围为1秒至1000秒。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910055897.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top