[发明专利]提高湿法刻蚀性能的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，特别涉及一种提高湿法刻蚀性 能的方法。

背景技术

光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体 器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件， 演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的IC(集成电路)随后到LSI (大规模集成电路)，VLSI(超大规模集成电路)，直至今天的ULSI(特大规 模集成电路)，器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发 的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平 的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚衬底上尽 可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者， 制造商的重视。

在各种半导体技术中，湿法刻蚀技术由于其不会产生等离子损伤以及具 备高刻蚀选择比而在栅氧刻蚀、表面清洗等关键技术中扮演重要的角色。但 是，这项技术有着一个重大问题：即刻蚀各向同性，这意味着随着纵向刻蚀 的进行，其侧向刻蚀也同时发生，侧向刻蚀会导致器件表面尺寸变大，这在 小尺寸芯片中是无法忍受的，因此，如何防止湿法刻蚀的侧向侵蚀就成为业 界必须解决的问题，以往的方法是降低光刻胶的厚度便于湿法刻蚀、使用快 酸缩短湿法处理时间、采用HMDS提高底部粘附力等，但是这些方法由于无 法确保光刻胶不流到衬底上，因而效果不明显。

发明内容

本发明解决的问题是避免湿法刻蚀中发生侧向刻蚀使得光刻胶流到衬底 上从而导致刻蚀不完全。

本发明提供了一种提高湿法刻蚀性能的方法，包括以下步骤：对衬底进 行HMDS疏水处理；在所述衬底上涂布抗反射涂层；在所述抗反射涂层上涂 布一层光刻胶；进行曝光、显影和刻蚀处理，去除部分所述光刻胶和抗反射 涂层，使得待刻蚀衬底暴露在外；采用有机溶液去除所有光刻胶；以剩余的 部分抗反射涂层为掩蔽，对衬底进行湿法刻蚀处理。

可选的，所述HMDS疏水处理包括向衬底表面喷洒HMDS和烘烤。

可选的，所述HMDS疏水处理中的HMDS喷洒时间范围为0.1秒至100 秒。

可选的，所述HMDS疏水处理中的烘烤温度范围为30度至150度。

可选的，所述HMDS疏水处理中的烘烤时间范围为1秒至1000秒。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：对衬底做HMDS疏水处理以及 涂布抗反射涂层，增强了光刻胶底部和衬底的粘附力；去除掉光刻胶，降低 了图形的高宽比，只依靠抗反射涂层作为湿法刻蚀掩蔽层，避免了光刻胶流 到衬底上阻碍刻蚀，提高了湿法刻蚀的性能。

附图说明

图1为本发明提高湿法刻蚀性能的方法的流程图。

图2至图5为本发明提高湿法刻蚀性能的方法的一实施例操作示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。